[發(fā)明專利]ESD自我保護及含該保護的LIN總線驅(qū)動器的DMOS半導體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201480006578.6
• 申請日: 2014-01-29
• 公開（公告）號: CN104969355B
• 公開（公告）日: 2018-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 菲利普·德沃爾;馬麗亞·費爾南德斯;帕特里克·貝薩厄澤;羅恩·布雷思韋特
• 申請（專利權(quán)）人: 密克羅奇普技術(shù)公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/74
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司11287
• 代理人: 沈錦華

1.一種用于集成電路裝置的保護電路，其包括：

單元，其包括兩個源極區(qū)域及關(guān)聯(lián)柵極，其中第一源極區(qū)域連接到電源電壓端子且其柵極是由控制信號驅(qū)動，且其中第二源極區(qū)域與其柵極連接，其中所述第二源極區(qū)域與漏極端子連接以充當所述單元的漏極輸出；及

第一導電類型的阱；

其中所述第一源極包括在所述阱中擴散的第二導電類型的第一主體，其中所述第一主體包括第一P+擴散部及第一N+擴散部；

其中所述第二源極包括在所述阱中擴散的第二導電類型的第二主體，其中所述第二主體包括所述第一導電類型的第二擴散部；

其中所述柵極布置于各自所述主體的部分和所述阱的部分上方的各自絕緣氧化物上；及

其中所述第二擴散部提供到輸出驅(qū)動器單元的連接；

其中靜電放電及反向電壓保護二極管形成于所述第一主體與第二主體之間。

2.一種用于集成電路裝置的保護電路，其包括：

單元，其包括兩個源極區(qū)域及關(guān)聯(lián)柵極，其中第一源極區(qū)域連接到電源電壓端子且其柵極是由控制信號驅(qū)動，且其中第二源極區(qū)域與其柵極連接，其中所述第二源極區(qū)域與漏極端子連接以充當所述單元的漏極輸出；

第一導電類型的阱；

在所述阱中擴散的第二導電類型的第一主體，其中所述第一主體包括第一P+擴散部及第一N+擴散部，所述第一主體形成所述第一源極區(qū)域；

在所述阱中擴散的所述第二導電類型的第二主體，其中所述第二主體包括第二P+擴散部及第二N+擴散部，所述第二主體形成所述第二源極區(qū)域；

其中第一柵極在所述第一主體的部分及所述阱的部分上方的第一絕緣氧化物上，其中所述第一柵極提供對輸出驅(qū)動器單元的控制；

其中第二柵極在所述第二主體的部分及所述阱的部分上方的第二絕緣氧化物上；

所述第一P+擴散部及所述第一N+擴散部連接在一起以提供用于所述輸出驅(qū)動器單元的源極及主體觸點；且

所述第二P+擴散部、所述第二N+擴散部及所述第二柵極連接在一起以提供用于所述輸出驅(qū)動器單元的漏極；

其中靜電放電ESD及反向電壓保護二極管形成于所述第一主體與第二主體之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的保護電路，其中所述第二柵極通過電阻器連接到所述第二P+擴散部及所述第二N+擴散部。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的保護電路，其中所述第二柵極通過觸發(fā)電路連接到所述第二P+擴散部及所述第二N+擴散部。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的保護電路，其中所述兩個主體的區(qū)域之間的所述第一導電類型的阱區(qū)域產(chǎn)生共用漂移區(qū)域。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的保護電路，其中所述兩個主體區(qū)域之間的所述阱共用漂移區(qū)域不具有擴散觸點。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的保護電路，其中所述第一導電類型的擴散觸點插入到所述阱共用漂移區(qū)域中。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的保護電路，其中N+擴散觸點插入到N-阱共用漂移區(qū)域中且提供對所述N-阱共用漂移區(qū)域的接達。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的保護電路，其中所述擴散觸點連接到第一連接層。

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的保護電路，其中所述第一P+擴散部及所述第一N+擴散部連接到負電源端子或正電源端子。

11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的保護電路，其中所述第一P+擴散部及所述第一N+擴散部連接到第二連接層。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的保護電路，其中所述第一主體進一步包括第三P+擴散部及第三N+擴散部。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的保護電路，其中所述第三P+擴散部及所述第三N+擴散部連接到負電源端子或正電源端子。

14.根據(jù)權(quán)利要求2所述的保護電路，其中所述第二P+擴散部及所述第二N+擴散部連接到開路漏極輸出。

15.根據(jù)權(quán)利要求2所述的保護電路，其中所述第二P+擴散部及所述第二N+擴散部連接到第三連接層。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的保護電路，其中所述第二主體進一步包括連接到所述漏極端子的第四P+擴散部及第四N+擴散部。