[發明專利]強散射陶瓷轉換器及其制備方法有效
| 申請號: | 201480006296.6 | 申請日: | 2014-01-03 |
| 公開(公告)號: | CN104968630B | 公開(公告)日: | 2017-09-15 |
| 發明(設計)人: | Y·門克;V·哈格曼;B·霍普 | 申請(專利權)人: | 肖特股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/50 | 分類號: | H01L33/50;C04B35/44;C04B35/64;C09K11/77;C04B35/626 |
| 代理公司: | 北京思益華倫專利代理事務所(普通合伙)11418 | 代理人: | 趙飛,郭紅麗 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 散射 陶瓷 轉換器 及其 制備 方法 | ||
1.一種用于制備單相陶瓷轉換器材料的方法,所述材料的密度大于90%并小于97%以及包括摻雜鈰作為第一活化劑的組合物A3B5O12的陶瓷相,其中所述鈰的含量為0.001-3重量%,A選自由元素Y、Gd、Lu和其組合所組成的組中,B選自由元素Al、Ga和其組合所組成的組中,其特征在于以下步驟:
a)將起始材料稱量為氧化物形式的A2O3、B2O3和CeO2,以形成混合物,其中所述起始材料的初級顆粒具的顆粒尺寸為小于1微米;
b)將所述起始材料在合適的液體中制漿,以制備懸浮液;
c)在第一均質化步驟中,使用研磨體通過濕法研磨粉碎和均質化所述起始材料;
d)允許所述懸浮液沉淀;
e)在第二均質化步驟中進一步均質化所述懸浮液;
f)通過除去液體來干燥所述起始材料;
g)在10-50兆帕的壓力下單軸向壓縮在步驟f)中干燥的起始材料,以制備生坯;
h)在100-300兆帕的壓力下等靜壓縮所述生坯;
i)在600-1000℃的范圍內的溫度下燃燒所述生坯;
j)在1550-1800℃的范圍內的溫度下反應性地燒結所述生坯。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,在步驟a)中,以0.01-3重量%的量加入CeO2。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,在步驟a)中,以0.1-0.2重量%的量加入CeO2。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,在步驟a)中,以0.03-0.2重量%的量加入CeO2。
5.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,在步驟a)中,將Gd2O3加入至所述混合物中作為第二元素A和/或其中Gd2O3的比例為0.5-20重量%。
6.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,在步驟a)中,將Gd2O3加入至所述混合物中作為第二元素A和/或其中Gd2O3的比例為1-15重量%。
7.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,將Gd2O3加入至所述混合物中作為第二元素A和/或其中Gd2O3的比例為2.5-10重量%。
8.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,在步驟a)中,將Ga2O3加入所述混合物中作為第二元素B和/或其中Ga2O3的比例為0.5-20重量%。
9.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,在步驟a)中,將Ga2O3加入所述混合物中作為第二元素B和/或其中Ga2O3的比例為1-15重量%。
10.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,在步驟a)中,將Ga2O3加入所述混合物中作為第二元素B和/或其中Ga2O3的比例為2.5-10重量%。
11.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,在步驟a)中,使用顆粒尺寸為20-300nm的初級顆粒和/或使用顆粒尺寸為30-60nm的初級顆粒A2O3。
12.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,在步驟a)中,額外地將分散劑、壓縮助劑和/或粘合劑作為添加劑加入到所述混合物中。
13.根據權利要求12所述的方法,其特征在于,所述分散劑和/或所述粘合劑的比例為小于3.5重量%。
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