[發明專利]逆電流防止

有效

• 申請號: 201480005871.0
• 申請日: 2014-01-21
• 公開（公告）號: CN104937837B
• 公開（公告）日: 2018-08-17
• 發明（設計）人: L·K－A·馬特;J·D·拉特庫斯基;S·S·石
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H03F1/02
• 分類號: H03F1/02
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 袁逸

1.一種用于電路的裝置，包括：

將電池供電電壓耦合到電感器的高側開關，其中所述電感器進一步耦合到跟蹤供電電壓；

將所述電感器耦合到接地的低側開關；以及

配置成檢測從所述跟蹤供電電壓經過所述高側開關至所述電池供電電壓的負電流流動的負電流流動檢測塊，其中所述高側開關能配置成在檢測到負電流流動時被禁用。

2.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，進一步包括升壓轉換器，所述升壓轉換器耦合到所述供電電壓以生成高于所述供電電壓的經推升供電電壓。

3.如權利要求2所述的裝置，其特征在于，所述高側開關包括PMOS晶體管。

4.如權利要求3所述的裝置，其特征在于，進一步包括與所述PMOS晶體管的體二極管串聯的第一輔助開關，其中所述第一輔助開關被配置成在檢測到負電流流動時被禁用。

5.如權利要求4所述的裝置，其特征在于，所述第一輔助開關包括PMOS晶體管，所述裝置進一步包括將所述高側開關的N阱與所述經推升供電電壓耦合的第二輔助開關，其中所述第一輔助開關的N阱被進一步耦合到所述經推升供電電壓。

6.如權利要求4所述的裝置，其特征在于，所述第一輔助開關的體二極管被置于與所述PMOS晶體管的體二極管的極性相反的極性。

7.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述負電流流動檢測塊包括第一比較器，所述第一比較器具有耦合到所述電池供電電壓的負端子、以及耦合到所述高側開關的與所述電池供電電壓對向的端子的正端子。

8.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，進一步包括第二比較器，所述第二比較器具有耦合到所述跟蹤供電電壓的正端子以及耦合到所述電池供電電壓的負端子，所述高側開關進一步被配置成僅在所述第二比較器輸出為高且檢測到負電流流動的情況下才被禁用。

9.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述高側開關由條件邏輯塊控制，所述條件邏輯塊被配置成生成信號以使得所述高側開關在檢測到負電流且所述跟蹤供電電壓高于所述電池供電電壓時被禁用，否則所述高側開關基于開關功率級時鐘信號來被禁用或啟用。

10.如權利要求9所述的裝置，其特征在于，所述條件邏輯塊包括SR鎖存器，所述SR鎖存器被配置成鎖存檢測到負電流且所述跟蹤供電電壓高于所述電池供電電壓的先前指示，其中所述SR鎖存器響應于所述跟蹤供電電壓低于所述電池供電電壓而被重置。

11.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述高側開關包括NMOS晶體管。

12.如權利要求2所述的裝置，其特征在于，所述高側開關被配置成通過被耦合到所述經推升供電電壓來被截止。

13.一種用于電路的方法，包括：

使用高側開關來將電池供電電壓選擇性地耦合到電感器，其中所述電感器進一步耦合到跟蹤供電電壓；

使用低側開關來將所述電感器選擇性地耦合到接地；

檢測是否存在從所述跟蹤供電電壓經過所述高側開關至所述電池供電電壓的負電流流動；以及

響應于包括檢測到所述負電流流動在內的至少一個條件，使用所述高側開關來將所述電池供電電壓從所述電感器解耦。

14.如權利要求13所述的方法，其特征在于，所述高側開關包括PMOS晶體管。

15.如權利要求14所述的方法，其特征在于，進一步包括響應于檢測到負電流流動來禁用與所述PMOS晶體管的體二極管串聯的開關。