[發明專利]半導體晶圓的連續處理裝置及方法

在審

• 申請號: 201480004276.5
• 申請日: 2014-01-07
• 公開（公告）號: CN104919583A
• 公開（公告）日: 2015-09-16
• 發明（設計）人: 李元求;徐現模;安賢煥;柳守烈;崔宇鎭
• 申請（專利權）人: 系統科技公司
• 主分類號: H01L21/677
• 分類號: H01L21/677
• 代理公司: 北京青松知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11384
• 代理人: 鄭青松

1.提供一種半導體晶圓的連續處理裝置，包括通過多個工序處理晶圓的多個腔室，其特征在于：

所述多個腔室中一個以上的腔室，包括：

基座，為工序過程中支撐晶圓而固定設置；

下部機殼，固定設置在所述基座的外側，在所述晶圓的下部形成隔離的工序空間；

上部機殼，為所述晶圓的上部形成隔離的工序空間而上下移動；轉盤，在所述上部機殼與下部機殼之間形成，并形成露出所述基座上部的孔，因所述多個腔室之間移送所述晶圓而旋轉，在所述基座的上部使所述晶圓上下移動；

安放環，插入所述孔的上方并能脫離，安放所述晶圓。

2.根據權利要求1所述的半導體晶圓的連續處理裝置，其特征在于：

所述多個腔室中的一個是裝載及卸載腔室，從外部裝載晶圓，向外部卸載處理完的晶圓。

3.根據權利要求1所述的半導體晶圓的連續處理裝置，其特征在于：

所述下部機殼，提供所述轉盤接觸上端的狀態下被隔離的工序空間的下部側；

所述上部機殼，提供其下端部向下移動而接觸所述轉盤的上部而被隔離的工序空間的上部側。

4.根據權利要求1所述的半導體晶圓的連續處理裝置，其特征在于：

所述下部機殼，提供所述安放環接觸上端的狀態下被隔離的工序空間的下部側；

所述上部機殼，提供其下端部向下移動而接觸所述安放環的上部并被隔離的工序空間的上部側。

5.根據權利要求1所述的半導體晶圓的連續處理裝置，其特征在于：

所述基座，在通過所述轉盤移送的所述晶圓因所述轉盤的向下移動而位于上部的狀態下，以設定的工序溫度加熱所述晶圓。

6.根據權利要求5所述的半導體晶圓的連續處理裝置，其特征在于：

所述腔室具備提升銷，支撐所述晶圓的底面，把所述晶圓安放到所述安放環。

7.根據權利要求5所述的半導體晶圓的連續處理裝置，其特征在于：

所述多個腔室中，根據工序氣體處理晶圓的工序腔室，具有位于所述工序空間的上部側的噴頭；

所述噴頭，形成在流入氣體的緩沖空間，和所述緩沖空間向晶圓均勻形成向下的多個噴射口。

8.根據權利要求1所述的半導體晶圓的連續處理裝置，其特征在于：

所述安放環采用階梯形狀，使所述晶圓向內側安放。

9.根據權利要求8所述的半導體晶圓的連續處理裝置，其特征在于：

所述安放環上沿著外周形成多個所述工序氣體通過的氣體通孔。

10.根據權利要求8所述的半導體晶圓的連續處理裝置，其特征在于：

所述多個腔室中根據工序氣體處理晶圓的工序腔室中具備提升銷，在所述基座的外側上下移動，支撐安放所述晶圓的安放環的底面，使所述安放環從所述孔向上脫離。

11.根據權利要求1所述的半導體晶圓的連續處理裝置，其特征在于：

所述安放環的內側形成多個支撐銷，支撐所述晶圓的底面，向所述安放環的中心方向突出；

所述基座的上面形成狹縫形狀的槽，在所述基座的上面插入所述支撐銷，使其能夠上下移動。

12.根據權利要求1所述的半導體晶圓的連續處理裝置，其特征在于：

所述安放環由非金屬材質形成。

13.根據權利要求12所述的半導體晶圓的連續處理裝置，其特征在于：

所述安放環由陶瓷材質形成。

14.根據權利要求5所述的半導體晶圓的連續處理裝置，其特征在于：

所述工序腔室的工序空間的上部側具備上部加熱器，工序中加熱所述晶圓的上部。

15.根據權利要求14所述的半導體晶圓的連續處理裝置，其特征在于：

所述上部加熱器的下部具有緩沖空間，流入工序氣體；噴頭，在所述緩沖空間向晶圓向下形成多個均勻噴射口；

所述上部加熱器加熱流入所述緩沖空間的工序氣體。

16.根據權利要求1所述的半導體晶圓的連續處理裝置，其特征在于，還包括：

多個滾軸，所述轉盤旋轉時，接觸所述轉盤底面的邊緣部分。