[發明專利]具有智能電流/功耗最小化的增強型動態存儲器管理

有效

• 申請號: 201480004109.0
• 申請日: 2014-01-07
• 公開（公告）號: CN104903815B
• 公開（公告）日: 2017-09-12
• 發明（設計）人: H·J·樸;R·G·霍夫曼;Y·J·李
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: G06F1/32
• 分類號: G06F1/32;G06F12/00;G06F13/16
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 亓云

背景技術

領域

本公開涉及降低或最小化在其上實現了動態存儲器管理(DMM)的存儲器設備中的電流/功耗。

背景

圖1解說了存儲器設備以及其中的存儲體之間的低功率狀態電流/功耗變動。在一個示例中，多個易失性存儲器設備102、104以及106(諸如隨機存取存儲器(RAM)設備(例如，RAM部件))可被包括作為較大電路或電子設備的一部分。每個易失性存儲器設備104可被安排成例如單個硅管芯內的多個存儲體108、110以及112。由于硅制造工藝的特質，每個存儲器設備內可存在部件間功率變動(例如，設備間功率變動)以及存儲體間功率變動。即，每個易失性存儲器設備可以展現不同的低功率狀態消耗(例如，漏泄電流、動態功耗，等等)，而每個存儲體也可展現不同的低功率狀態消耗。

一些處理系統尋求實現功率管理或節省，這可涉及減少一些存儲器設備在空閑時的功率使用。動態存儲器管理(DMM)是一種這樣的系統。

圖2解說了傳統的動態存儲器管理(DMM)方案。這里，處理電路202可被耦合至雙通道Ch0和Ch1(例如，通道0和通道1)上的多個易失性存儲器設備204、206、208、210(例如，RAM x 32)。在延長的空閑期(例如，通宵、大量時間，等等)期間，可用易失性存儲器被動態地降低(例如，關閉)。上部易失性存儲器設備204和208中的存儲器頁被轉儲清除(若可能)，或以其他方式遷移到下部易失性存儲器設備206和210。這里，可以察覺，在進入DMM模式時，數據從片選1(cs1)上的第一多個易失性存儲器設備204和208被遷移到片選0(cs0)上的第二多個易失性存儲器設備206和210。一旦由片選cs1控制的存儲器設備(即，上部易失性存儲器設備204和208)中沒有活躍的存儲器頁(例如，存儲器塊或段)，則耦合至片選cs1的那些存儲器設備204和208就被轉移到深降電狀態以節省功率。然而，這一辦法沒有考慮被降電的存儲器設備204和208和/或被保持活躍的存儲器設備206和210的效率(例如，低功率狀態電流)。

因此，需要用于易失性存儲器設備的更高效的功率管理方法以進一步改進傳統的動態存儲器管理辦法。

概述

一種電子設備，包括：多個易失性存儲器設備、和處理電路。該處理電路可被配置成執行動態存儲器管理。獲得、計算、或估計該多個易失性存儲器設備中的每個易失性存儲器設備的低功率狀態電流/功耗。在一個示例中，耦合至該處理電路的功率管理設備可被配置成查明該多個易失性存儲器設備中的每個易失性存儲器設備的低功率狀態電流/功耗。數據隨后可從第一組易失性存儲器設備被復制或轉移到第二組易失性存儲器設備，其中第二組易失性存儲器設備具有比第一組易失性存儲器設備低的低功率狀態電流/功耗。第一組易失性存儲器設備隨后可被置于降電狀態以降低功耗。

類似地，第二組易失性存儲器設備隨后可被置于功率節省狀態以降低功耗。

非易失性存儲設備也可被耦合至該處理電路，其中該非易失性存儲設備存儲該多個易失性存儲器設備中的每個易失性存儲器設備的低功率狀態電流/功耗。

低功率狀態可以維持第二組易失性存儲器設備中的數據，而降電狀態使得第一組易失性存儲器設備中的數據丟失。功率節省狀態可以維持第二組易失性存儲器設備中的數據，而降電狀態使得第一組易失性存儲器設備中的數據丟失。

在一個示例中，低功率狀態可以是功率節省狀態。低功率狀態電流/功耗可包括漏泄電流/功耗和動態功耗。

在一個示例中，該處理電路可被配置成確定在不活躍期之后何時要將第一組易失性存儲器設備切換到降電狀態。

該多個易失性存儲器設備可被安排在一個或多個通道中，并且第一組和第二組易失性存儲器設備是在每通道基礎上確定的。數據可以在同一通道中的存儲器設備之間被復制。

在一個示例中，在制造階段期間或在初始化階段期間，查明該多個易失性存儲器設備中的每個易失性存儲器設備的低功率狀態電流/功耗。

在一些實現中，該處理電路可被進一步配置成：(a)補償存儲器設備之間的溫度變動；和/或(b)將該多個易失性存儲器設備中的每個易失性存儲器設備的低功率狀態電流/功耗基于其對應溫度來歸一化。