[發明專利]氧化銦錫圖案化裝置及圖案化方法有效
| 申請號： | 201480003182.6 | 申請日： | 2014-06-03 |
| 公開（公告）號： | CN105103093B | 公開（公告）日： | 2017-07-07 |
| 發明（設計）人： | 金秀燦;李贊九;裴賢燮;樸炳圭 | 申請（專利權）人： | WI-A株式會社 |
| 主分類號： | G06F3/041 | 分類號： | G06F3/041 |
| 代理公司： | 北京鴻元知識產權代理有限公司11327 | 代理人： | 李靜,黃麗娟 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化 圖案 化裝 方法 | ||
1.一種氧化銦錫圖案化方法，其特征在于，包括：
在薄膜或玻璃上形成非晶質氧化銦錫層的步驟；
利用直線束形態的激光束及形成有準備形成的氧化銦錫圖案的掩膜對所述非晶質氧化銦錫層進行部分退火，使準備形成所述氧化銦錫圖案的部分成為多晶氧化銦錫的步驟；以及
通過化學蝕刻去除所述非晶質氧化銦錫層中未被退火的非晶質氧化銦錫并保留所述多晶氧化銦錫，以形成所述氧化銦錫圖案的步驟，
其中，所述激光束的波長范圍為大于0且小于等于250nm，能量密度范圍為大于等于60mJ/cm2且小于等于100mJ/cm2，所述非晶質氧化銦錫層在氧氣含量大于1.5SCCM且小于等于3.0SCCM、水含量大于0SCCM且小于6SCCM的條件下沉積。
2.根據權利要求1所述的氧化銦錫圖案化方法，其特征在于，
對所述非晶質氧化銦錫層重復退火兩次以上。
3.根據權利要求1所述的氧化銦錫圖案化方法，其特征在于，
所述掩膜上形成有與所述氧化銦錫圖案的大小之比為1:1的圖案。
4.一種氧化銦錫圖案化裝置，其特征在于，包括：
氧化銦錫層形成部，在薄膜或玻璃上形成非晶質氧化銦錫層；
激光退火部，利用掩膜向所述非晶質氧化銦錫層照射直線束形態的激光束，從而對準備形成氧化銦錫圖案的部分進行退火以形成多晶氧化銦錫；以及
蝕刻部，去除所述非晶質氧化銦錫層中未被退火的非晶質氧化銦錫并保留所述多晶氧化銦錫以形成所述氧化銦錫圖案，
其中，所述激光束的波長范圍為大于0且小于等于250nm，能量密度范圍為大于等于60mJ/cm2且小于等于100mJ/cm2，所述非晶質氧化銦錫層在氧氣含量大于1.5SCCM且小于等于3.0SCCM、水含量大于0SCCM且小于6SCCM的條件下沉積。
5.根據權利要求4所述的氧化銦錫圖案化裝置，其特征在于，
所述掩膜上形成有與準備形成的氧化銦錫圖案的大小之比為1:1的圖案。
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