[發(fā)明專利]控制光組件的工作溫度的方法、裝置、光組件和光網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201480000194.3 | 申請日： | 2014-03-06 |
| 公開（公告）號： | CN105102085B | 公開（公告）日： | 2018-10-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 丁平;凌魏;李三中 | 申請（專利權(quán)）人： | 華為技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | G02B6/42 | 分類號： | G02B6/42;G05D23/19 |
| 代理公司： | 北京龍雙利達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11329 | 代理人： | 毛威;張亮 |
| 地址： | 518129 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 控制 組件 工作溫度 方法 裝置 網(wǎng)絡(luò) 系統(tǒng) | ||
1.一種控制光組件的工作溫度的方法，所述光組件包括激光器和用于在所述光組件內(nèi)部加熱或制冷的溫度控制器，其特征在于，所述方法包括：
獲取所述光組件內(nèi)部的溫度；
獲取所述溫度控制器的目標(biāo)控制溫度；
根據(jù)所述目標(biāo)控制溫度和所述光組件的內(nèi)部的溫度輸出控制量；
根據(jù)所述控制量，通過所述溫度控制器的加熱或制冷來控制所述光組件的內(nèi)部的工作溫度；
其中，所述獲取所述溫度控制器的目標(biāo)控制溫度，包括：
獲取所述光組件的外部環(huán)境溫度；
根據(jù)所述外部環(huán)境溫度，設(shè)置所述溫度控制器的目標(biāo)控制溫度，所述目標(biāo)控制溫度為所述外部環(huán)境溫度的函數(shù)值，并且所述目標(biāo)控制溫度在所述激光器的工作溫度下限至所述激光器的工作溫度上限的范圍內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述設(shè)置所述溫度控制器的目標(biāo)控制溫度，包括：
當(dāng)所述外部環(huán)境溫度小于或等于所述激光器的工作溫度下限時，將所述激光器的工作溫度下限確定為所述溫度控制器的目標(biāo)控制溫度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述設(shè)置所述溫度控制器的目標(biāo)控制溫度，包括：
當(dāng)所述外部環(huán)境溫度大于或等于所述激光器的工作溫度上限時，將所述激光器的工作溫度上限確定為所述溫度控制器的目標(biāo)控制溫度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述設(shè)置所述溫度控制器的目標(biāo)控制溫度，包括：
當(dāng)所述外部環(huán)境溫度小于或等于所述激光器的工作溫度上限，并且所述外部環(huán)境溫度大于或等于所述激光器的工作溫度下限時，將所述光組件的外部環(huán)境溫度確定為所述溫度控制器的目標(biāo)控制溫度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述設(shè)置所述溫度控制器的目標(biāo)控制溫度，包括：
當(dāng)所述外部環(huán)境溫度大于或等于所述激光器的工作溫度下限時，所述目標(biāo)控制溫度設(shè)置為與所述外部環(huán)境溫度呈線性關(guān)系或曲線關(guān)系。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述激光器的工作溫度下限在45℃至54℃的范圍內(nèi)；和/或
所述激光器的工作溫度上限在56℃至65℃的范圍內(nèi)。
7.一種光組件，其特征在于，所述光組件包括：
光模塊子封裝OSA，所述OSA內(nèi)設(shè)置有激光器、溫度控制器和內(nèi)部溫度傳感器，所述內(nèi)部溫度傳感器用于檢測所述OSA內(nèi)部的OSA溫度；
微控制單元MCU，所述MCU用于設(shè)置所述溫度控制器的目標(biāo)控制溫度；
比例積分微分PID電路，所述PID電路用于獲取所述內(nèi)部溫度傳感器檢測的所述OSA溫度，以及所述MCU設(shè)置的所述目標(biāo)控制溫度，并根據(jù)所述目標(biāo)控制溫度和所述OSA溫度，輸出控制量；和
溫度控制器驅(qū)動電路，所述溫度控制器驅(qū)動電路用于根據(jù)所述PID電路輸出的所述控制量，給所述溫度控制器提供用于加熱或制冷的電流，以控制所述OSA內(nèi)部的溫度；
其中，所述光組件還包括用于檢測所述OSA的外部環(huán)境溫度的環(huán)境溫度傳感器，所述MCU具體用于獲取所述環(huán)境溫度傳感器檢測的所述OSA的外部環(huán)境溫度，以及根據(jù)所述外部環(huán)境溫度，設(shè)置所述溫度控制器的目標(biāo)控制溫度，所述目標(biāo)控制溫度為所述外部環(huán)境溫度的函數(shù)值，并且所述目標(biāo)控制溫度在所述激光器的工作溫度下限至所述激光器的工作溫度上限的范圍內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光組件，其特征在于，所述MCU具體用于：
當(dāng)所述外部環(huán)境溫度小于或等于所述激光器的工作溫度下限時，將所述激光器的工作溫度下限確定為所述溫度控制器的目標(biāo)控制溫度。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光組件，其特征在于，所述MCU具體用于：
當(dāng)所述外部環(huán)境溫度大于或等于所述激光器的工作溫度上限時，將所述激光器的工作溫度上限確定為所述溫度控制器的目標(biāo)控制溫度。
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