[實用新型]半導體再布線封裝結構有效
| 申請號： | 201420860906.6 | 申請日： | 2014-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN204391087U | 公開（公告）日： | 2015-06-10 |
| 發明（設計）人： | 高國華;郭飛 | 申請（專利權）人： | 南通富士通微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮;郭棟梁 |
| 地址： | 226006 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 布線 封裝 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體再布線封裝結構，其特征在于，包括：種子層，和形成在所述種子層上的第二再布線層和第二樹脂層；
其中，所述第二再布線層和所述第二樹脂層分別由設置在所述種子層上的第一再布線層和包覆于所述第一再布線層上的第一樹脂層減薄形成。
2.根據權利要求1所述的半導體再布線封裝結構，其特征在于，還包括晶圓、焊盤、鈍化層和第一絕緣層：
所述焊盤形成于所述晶圓上，所述晶圓的非焊盤位置自下而上形成有鈍化層和第一絕緣層；
所述種子層形成于所述第一絕緣層上。
3.根據權利要求1所述的半導體再布線封裝結構，其特征在于：
所述第二再布線層和所述第二樹脂層的厚度大于10um。
4.根據權利要求1-3任意一項所述的半導體再布線封裝結構，其特征在于，還包括：
形成在所述第二在配線層上的銅柱，以及形成在所述銅柱上的凸點。
5.根據權利要求1-3任意一項所述的半導體再布線封裝結構，其特征在于，還包括：
形成在所述第二再布線層的非焊接位置的第二絕緣層；
以及，
固定在所述第二再布線層的焊接位置的焊球。
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