[實用新型]一種單通道低電容瞬態電壓抑制器件

有效

• 申請號: 201420858051.3
• 申請日: 2014-12-30
• 公開（公告）號: CN204348725U
• 公開（公告）日: 2015-05-20
• 發明（設計）人: 周源;馬林寶
• 申請（專利權）人: 北京燕東微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/02
• 代理公司: 北京正理專利代理有限公司 11257
• 代理人: 張雪梅

1.一種單通道低電容瞬態電壓抑制器件，其特征在于，該器件包括：

第一導電類型的半導體襯底，

形成在所述半導體襯底上的第二導電類型外延層，第二導電類型不同于第一導電類型，

形成在所述半導體襯底和所述外延層之間第二導電類型的埋層區，和

形成在所述外延層中并延伸至襯底的第一導電類型的隔離區，該隔離區將所述外延層隔離出多個外延區，

該器件進一步包括

TVS管(11)，包括形成在隔離區中第一導電類型的基區(7)和形成在該基區中的第二導電類型的發射區(8)；

第一二極管(9)，包括形成在埋層區上外延區中的第二導電類型的擴散區(6)、形成在該擴散區(6)中第二導電類型的發射區(8)，以及形成在所述埋層區上外延區中的第一導電類型的基區(7)；

第二二極管(10)，包括形成在隔離區中的第一導電類型的基區(7)，以及形成在外延區中的第二導電類型的發射區(8)；

形成在半導體襯底另一側上的第一電極，和

形成在外延層表面上用于形成所述單通道瞬態電壓抑制器件的金屬布線層，

所述第一二極管和第二二極管的電容分別小于所述TVS管的電容。

2.如權利要求1所述的單通道低電容瞬態電壓抑制器件，其特征在于，所述第一導電類型為P型，第二導電類型為N型；或所述第一導電類型為N型，第二導電類型為P型。

3.如權利要求1所述的單通道低電容瞬態電壓抑制器件，其特征在于，所述金屬布線層包括將所述TVS管的發射區與所述第一二極管的發射區電連接的金屬布線，以及將所述第二二極管的發射區和第一二極管的基區電連接的另一金屬布線。

4.如權利要求3所述的單通道低電容瞬態電壓抑制器件，其特征在于，該器件包括從所述金屬布線或所述另一金屬布線引出的輸入輸出電極。

5.如權利要求1所述的瞬態電壓抑制器件，其特征在于，所述半導體襯底的電阻率約為0.001～0.02Ω·cm。

6.如權利要求1所述的單通道低電容瞬態電壓抑制器件，其特征在于，所述外延層的電阻率大于5.5Ω·cm，厚度大于7.5μm。

7.如權利要求1所述的單通道低電容瞬態電壓抑制器件，其特征在于，隔離區的摻雜濃度為10¹⁹cm^-3量級，所述擴散區的摻雜濃度為1.0×10¹⁸～9.9×10¹⁹cm^-3。

8.如權利要求1所述的單通道低電容瞬態電壓抑制器件，其特征在于，所述發射區的摻雜濃度為8.0×10¹⁹～2.0×10²⁰cm^-3。