[實(shí)用新型]一種高亮度錐形半導(dǎo)體激光器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420855365.8 | 申請(qǐng)日: | 2014-12-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN204290036U | 公開(公告)日: | 2015-04-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 范國(guó)濱;李弋;杜維川;李艾;李奇峰;高松信;武德勇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)工程物理研究院應(yīng)用電子學(xué)研究所 |
| 主分類號(hào): | H01S5/22 | 分類號(hào): | H01S5/22;H01S5/065 |
| 代理公司: | 成都九鼎天元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51214 | 代理人: | 卿誠(chéng);吳彥峰 |
| 地址: | 621000 四川*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 亮度 錐形 半導(dǎo)體激光器 | ||
1.一種高亮度錐形半導(dǎo)體激光器,其特征是:包括有量子阱外延片基底、脊形主震蕩區(qū)、側(cè)向周期波導(dǎo)限制結(jié)構(gòu)、錐形增益放大區(qū)、前腔面和后腔面;所述前腔面設(shè)置在基底的一側(cè)面;所述后腔面設(shè)置在前腔面對(duì)側(cè)的基底側(cè)面上;所述脊形主震蕩區(qū)設(shè)置在靠近后腔面的基底中部;所述錐形增益放大區(qū)設(shè)置在靠近前腔面的基底上;所述錐形增益放大區(qū)與脊形主震蕩區(qū)接連;所述脊形主震蕩區(qū)兩側(cè)對(duì)稱設(shè)置有至少一對(duì)側(cè)向周期波導(dǎo)限制結(jié)構(gòu)。
2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高亮度錐形半導(dǎo)體激光器,其特征是:所述脊形主震蕩區(qū)的寬度為2μm-7μm。
3.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高亮度錐形半導(dǎo)體激光器,其特征是:所述側(cè)向周期波導(dǎo)限制結(jié)構(gòu)的形狀為長(zhǎng)方形條狀,寬度為2μm-5μm,長(zhǎng)度為3μm-10μm。
4.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高亮度錐形半導(dǎo)體激光器,其特征是:所述錐形增益放大區(qū)的錐角度數(shù)為4°-7°。
5.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高亮度錐形半導(dǎo)體激光器,其特征是:所述前腔面鍍有增透膜,對(duì)激光波長(zhǎng)反射率值為0.1%-5%。
6.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高亮度錐形半導(dǎo)體激光器,其特征是:所述后腔面鍍有高反膜,對(duì)激光波長(zhǎng)反射率值為90%-99.9%。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)工程物理研究院應(yīng)用電子學(xué)研究所,未經(jīng)中國(guó)工程物理研究院應(yīng)用電子學(xué)研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201420855365.8/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 光纖輸出半導(dǎo)體激光器模塊及其制造方法
- 半導(dǎo)體激光器模塊裝置及其控制方法
- 一種圓環(huán)半導(dǎo)體激光器的均勻側(cè)面泵浦結(jié)構(gòu)
- 一種半導(dǎo)體激光器遠(yuǎn)距離光斑的勻化方法及系統(tǒng)
- 一種遠(yuǎn)距離勻化光斑的半導(dǎo)體激光器系統(tǒng)
- 半導(dǎo)體激光器控制系統(tǒng)
- 一種熱沉絕緣型半導(dǎo)體激光器封裝結(jié)構(gòu)及疊陣
- 一種發(fā)光點(diǎn)高度可調(diào)的半導(dǎo)體激光器封裝結(jié)構(gòu)
- 一種半導(dǎo)體激光器的散熱封裝結(jié)構(gòu)
- 一種半導(dǎo)體激光器巴條及其制造方法、電子設(shè)備





