[實用新型]一種GaAs雙面薄膜太陽能電池單元及電池有效
| 申請號: | 201420852383.0 | 申請日: | 2014-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN204332970U | 公開(公告)日: | 2015-05-13 |
| 發明(設計)人: | 黃添懋;楊曉杰;劉鳳全;葉繼春 | 申請(專利權)人: | 蘇州強明光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人: | 李敏 |
| 地址: | 215614 江蘇省蘇州市江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 gaas 雙面 薄膜 太陽能電池 單元 電池 | ||
1.一種GaAs雙面薄膜太陽能電池單元,其包括背電極層(1)、器件層(2)和柵電極層(3),所述柵電極層(3)具有第一柵線結構;
其特征在于,
所述背電極層(1)具有第二柵線結構;
所述器件層(2)與所述背電極層(1)之間設置有第一減反膜層(4),所述第一減反膜層設置在所述第二柵線結構的柵線之間;
所述器件層(2)與所述柵電極層(3)之間設置有第二減反膜層(5),所述第二減反膜層設置在所述第一柵線結構的柵線之間。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池單元,其特征在于,所述第一柵線結構包括設置在電池單元的一個或相對多個邊緣的部分邊緣主柵線(11)。
3.根據權利要求2所述的太陽能電池單元,其特征在于,所述第一柵線結構還包括設置在所述柵電極層(3)表面的第一副柵線(12)。
4.根據權利要求1所述的太陽能電池單元,其特征在于,所述第二柵線結構包括環繞所述電池單元邊緣設置的邊緣主柵線(13)以及設置在所述邊緣主柵線(13)內部的第二副柵線(15)。
5.根據權利要求4所述的太陽能電池單元,其特征在于,所述第二柵線結構還包括設置在所述邊緣主柵線(13)內部且沿所述太陽能電池單元對角線交叉設置的內部主柵線(14)。
6.根據權利要求3或4所述的太陽能電池單元,其特征在于,所述第一副柵線(12)一端連接所述部分邊緣主柵線(11)設置并延伸至與所述部分邊緣主柵線(11)對應的另一邊;所述第二副柵線(15)平行于所述邊緣主柵線(13)設置。
7.根據權利要求6所述的太陽能電池單元,其特征在于,所述邊緣主柵線(13)的寬度為1-4mm;所述內部主柵線(14)的寬度為0.5-4mm;所述第二副柵線(15)的寬度為0.1-0.5mm,所述第二副柵線(15)之間的間距為1-3mm。
8.根據權利要求7所述的太陽能電池單元,其特征在于,所述部分邊緣主柵線(11)的寬度為1-4mm;所述第一副柵線(12)的寬度為0.1-0.5mm,所述第一副柵線(12)間的間距為1-3mm。
9.根據權利要求8所述的太陽能電池單元,其特征在于,所述第一減反膜層(4)為MgF2/ZnS雙減反膜層,其中,MgF2層的厚度為90-130nm,ZnS層的厚度為35-50nm;所述第二減反膜層(5)為MgF2/ZnS雙減反膜層,其中,MgF2層的厚度為100-120nm,ZnS層的厚度為30-50nm。
10.根據權利要求9所述的太陽能電池單元,其特征在于,所述器件層(2)的厚度為2.8-4.0μm,沿遠離所述背電極層(1)的方向依次包括p型窗口層(21)、p+背場層(22)、p型基區層(23)、n+發射層(24)和n型窗口層(25)。
11.根據權利要求7-10任一項所述的太陽能電池單元,其特征在于,所述太陽能電池單元為正六邊形或矩形;所述正六邊形電池單元的邊長為2英寸或3英寸;所述矩形電池單元的對角線長度為4英寸或6英寸。
12.一種GaAs雙面薄膜太陽能電池,其特征在于,包含一個權利要1-9任一所述的薄膜太陽能電池單元,或
由多個權利要求1-9任一所述的薄膜太陽能電池單元組成的陣列。
13.根據權利要求11所述的太陽能電池,其特征在于,所述陣列中各電池單元之間的間距大于100μm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





