[實用新型]陣列基板和顯示裝置有效
| 申請號: | 201420848175.3 | 申請日: | 2014-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN204257649U | 公開(公告)日: | 2015-04-08 |
| 發明(設計)人: | 曲連杰 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,包括第一電極、第二電極以及位于所述第一電極和所述第二電極之間的絕緣層,其特征在于,所述第一電極包括多個第一子電極,所述第二電極包括多個第二子電極,所述絕緣層中開設有多個絕緣層過孔,所述第二子電極與所述第一子電極通過對應的所述絕緣層過孔連接,對應著所述絕緣層過孔區域,和/或所述絕緣層過孔周邊區域的所述絕緣層下方設置有光補償單元。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述光補償單元與所述第一子電極和所述第二子電極均電性隔離。
3.根據權利要求1或2所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板包括顯示區和包圍在所述顯示區外圍的非顯示區,所述顯示區內設置有柵線和數據線,所述柵線和所述數據線交叉設置圍成像素區,所述像素區內設置有薄膜晶體管,所述第一子電極為所述薄膜晶體管的漏極,所述絕緣層過孔開設于所述絕緣層對應著漏極的區域,所述第二子電極為位于所述絕緣層上方的像素電極,所述光補償單元設置于兩個所述絕緣層過孔之間的區域的下方。
4.根據權利要求3所述的陣列基板,其特征在于,相鄰兩行/列的所述像素區內的兩個所述薄膜晶體管相向交錯設置于包圍在該相鄰兩行/列的所述像素區兩側的所述數據線之間,所述光補償單元設置于該相鄰的兩個所述薄膜晶體管的漏極對應的所述絕緣層過孔之間的區域的下方。
5.根據權利要求3所述的陣列基板,其特征在于,任一所述像素區內設置有一個所述薄膜晶體管,所述光補償單元設置于該所述薄膜晶體管的漏極對應的所述絕緣層過孔及其周邊區域的下方。
6.根據權利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述第一電極還包括設置于所述非顯示區的引出電極,所述第二電極還包括位于所述引出電極上方的連接電極,所述絕緣層還延伸至所述非顯示區并位于所述引出電極與所述連接電極之間,所述絕緣層過孔開設于所述絕緣層中對應著所述引出電極的區域,所述光補償單元設置于所述絕緣層過孔及其周邊區域的下方。
7.根據權利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述光補償單元與所述薄膜晶體管的柵極在同一構圖工藝中形成。
8.根據權利要求1或2所述的陣列基板,其特征在于,所述光補償單元采用不透明、且具有反光性質的材料形成。
9.根據權利要求8所述的陣列基板,其特征在于,所述光補償單元為鉬、鉬鈮合金、鋁、鋁釹合金、鈦或銅中的任一種。
10.根據權利要求1或2所述的陣列基板,其特征在于,所述光補償單元的形狀為方形。
11.根據權利要求1或2所述的陣列基板,其特征在于,所述絕緣層采用樹脂材料形成,所述絕緣層的厚度范圍為1.5-5μm。
12.一種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求1-11任一項所述的陣列基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





