[實用新型]一種GaN基LED外延結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420846907.5
• 申請日: 2014-12-26
• 公開（公告）號: CN204289495U
• 公開（公告）日: 2015-04-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馮猛;陳立人;蔡睿彥
• 申請（專利權(quán)）人: 聚燦光電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/06
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235
• 代理人: 楊林潔

1.一種GaN基LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述GaN基LED外延結(jié)構(gòu)依次包括：

襯底；

位于襯底上的氮化物緩沖層；

位于氮化物緩沖層上的N型GaN層；

位于N型GaN層上的多量子阱層，所述多量子阱層包括若干組量子阱層，每組量子阱層依次包括In_xGa_(1-x)N勢阱層、AlN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)層、和GaN勢壘層；

位于多量子阱層上的P型GaN層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多量子阱層包括3～20組量子阱層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述氮化物緩沖層為GaN緩沖層或AlN緩沖層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述AlN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)層為由AlN層與GaN層交替堆疊組成的超晶格結(jié)構(gòu)、或GaN層與AlN層交替堆疊組成的超晶格結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的GaN基LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述AlN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)層中AlN層與GaN層的層數(shù)分別為1～10層。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的GaN基LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述AlN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)層中，每個AlN層的厚度為1～20A，每個GaN層的厚度為1～20A。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的GaN基LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述In_xGa_(1-x)N勢阱層中x的取值為5％～30％，In_xGa_(1-x)N勢阱層的厚度為2nm～5nm。