[實用新型]一種連續式真空離子鍍膜機

有效

• 申請號: 201420839957.0
• 申請日: 2014-12-26
• 公開（公告）號: CN204325487U
• 公開（公告）日: 2015-05-13
• 發明（設計）人: 關秉羽
• 申請（專利權）人: 遼寧北宇真空科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/56
• 代理公司: 鐵嶺天工專利商標事務所 21105
• 代理人: 靳萬清

技術領域

本實用新型涉及一種連續式真空離子鍍膜機。

背景技術

傳統的真空離子鍍膜設備主要由放料室、多個鍍膜室、多個過渡室和收料室組成，整套鍍膜設備體積龐大，設備長度一般達到18米以上，設備安裝時占地空間大，另外上述真空離子鍍膜設備在運行時需要多套的擴散泵機組、分子泵機組、機械泵、羅茨泵與之配套進行抽真空作業，不僅耗電量巨大，而且整套設備生產制造成本很高。

實用新型內容

本實用新型要解決的技術問題是提供一種結構簡單、占地空間小、設備制造成本低且耗能少的連續式真空離子鍍膜機。

為解決上述技術問題，本實用新型一種連續式真空離子鍍膜機，具有箱式真空鍍膜室，箱式真空鍍膜室內的左、右兩側分別設有基膜放卷機構和基膜收卷糾偏機構，箱式真空鍍膜室內由左至右間隔設有多排平面磁控濺射靶，其中左、右兩排為單面濺射平面磁控濺射靶、左右兩排之間的為雙面濺射平面磁控濺射靶，相鄰排平面磁控濺射靶之間形成有鍍膜通道，所述多排平面磁控濺射靶的前、后兩側分別設有水冷托板，水冷托板的外側設有傳動輥，傳動輥位于相鄰兩排平面磁控濺射靶之間的位置；所述基膜放卷機構裝設的基膜繞經所述傳動輥后從所述的鍍膜通道通過并由所述基膜收卷糾偏機構進行糾偏后收卷。

采用上述結構的連續式真空離子鍍膜機，由于箱式真空鍍膜室內由左至右間隔設有多排平面磁控濺射靶，其中左、右兩排為單面濺射平面磁控濺射靶、左右兩排之間的為雙面濺射平面磁控濺射靶，相鄰排平面磁控濺射靶之間形成有鍍膜通道，因此基膜由放卷機構放卷后繞經設置在水冷托板外側的傳動輥并穿過多個所述鍍膜通道時，會在多個鍍膜通道內連續被鍍膜通道兩側的平面磁控濺射靶進行磁控濺射鍍膜，這樣即可以保證基膜表面鍍膜的厚度要求，同時也可保證基膜表面鍍膜的質量要求。由于本實用新型的連續式真空離子鍍膜機僅有一個箱式真空鍍膜室，基膜的放卷、鍍膜及糾偏收卷均在同一個箱式真空鍍膜室內完成，因此本實用新型的鍍膜機與傳統的真空離子鍍膜機相比較不僅設備結構簡單、體積明顯變小，同時與本實用新型相配套的抽真空設備數量也明顯減少，一方面節省了設備安裝的占地空間、降低了設備的制造成本，另外在節省抽真空設備采購成本的同時，使本實用新型在鍍膜作業時也節省了大量電能。

作為本實用新型的改進，所述單面濺射平面磁控濺射靶包括平面磁控濺射靶本體和裝于平面磁控濺射靶本體外側的屏蔽罩，平面磁控濺射靶本體具有靶體，靶體上裝有磁靴，在磁靴的一側均布裝有多排第一永久磁體、多排第一永久磁體的外側與所述屏蔽罩之間依序裝有第一靶材隔水板和第一靶材，所述雙面濺射平面磁控濺射靶包括所述的平面磁控濺射靶本體和裝于該平面磁控濺射靶本體外側的屏蔽罩，在所述磁靴相對的另一側均布裝有多排第二永久磁體，多排第二永久磁體的外側與所述屏蔽罩之間依序裝有第二靶材隔水板和第二靶材。

????本實用新型連續式真空離子鍍膜機中的雙面濺射平面磁控濺射靶是以現有技術中普通的單面濺射平面磁控濺射靶為基礎，通過在所述磁靴相對的另一側均布裝有多排第二永久磁體，多排第二永久磁體的外側與所述屏蔽罩之間依序裝有第二靶材隔水板和第二靶材，來達到能夠實現兩側同時濺射鍍膜的目的，本實用新型中的一個雙面濺射平面磁控濺射靶可起到兩個普通單面濺射平面磁控濺射靶的作用，可以進一步地降低本實用新型鍍膜機的制造成本，使本實用新型的鍍膜機體積可以做得更小，節省安裝時的占地空間。

附圖說明

下面結合附圖對本實用新型作進一步地詳細說明。

圖1是本實用新型一種連續式真空離子鍍膜機的俯視結構示意圖。

圖2是本實用新型一種連續式真空離子鍍膜機中的單面濺射平面磁控濺射靶的俯剖視結構示意圖。

圖3是本實用新型一種連續式真空離子鍍膜機中的雙面濺射平面磁控濺射靶的俯剖視結構示意圖。

具體實施方式

參見圖1－圖3，首先參見圖1，本實用新型一種連續式真空離子鍍膜機，具有箱式真空鍍膜室1，箱式真空鍍膜室內的左、右兩側分別設有基膜放卷機構2和基膜收卷糾偏機構3，箱式真空鍍膜室內由左至右間隔設有多排平面磁控濺射靶4，其中左、右兩排為單面濺射平面磁控濺射靶41、左右兩排之間的為雙面濺射平面磁控濺射靶42，相鄰排平面磁控濺射靶4之間形成有鍍膜通道5，所述多排平面磁控濺射靶4的前、后兩側分別設有水冷托板6，水冷托板6的外側設有傳動輥7，傳動輥7位于相鄰兩排平面磁控濺射靶之間的位置；所述基膜放卷機構2裝設的基膜10繞經所述傳動輥7后從所述的鍍膜通道5通過并由所述基膜收卷糾偏機構3進行糾偏后收卷。參見圖2、圖3，所述單面濺射平面磁控濺射靶41包括平面磁控濺射靶本體410和裝于平面磁控濺射靶本體外側的屏蔽罩411，平面磁控濺射靶本體410具有靶體412，靶體上裝有磁靴413，在磁靴413的一側均布裝有多排第一永久磁體414、多排第一永久磁體的外側與所述屏蔽罩411之間依序裝有第一靶材隔水板415和第一靶材416，所述雙面濺射平面磁控濺射靶42包括所述的平面磁控濺射靶本體410和裝于該平面磁控濺射靶本體外側的屏蔽罩411，在所述磁靴413相對的另一側均布裝有多排第二永久磁體424，多排第二永久磁體的外側與所述屏蔽罩411之間依序裝有第二靶材隔水板425和第二靶材426。