[實用新型]銅鋁復(fù)合型太陽能電池光伏焊帶有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420834898.8 | 申請日: | 2014-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN204271108U | 公開(公告)日: | 2015-04-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 魏磊 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市華光達科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/05 | 分類號: | H01L31/05 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市光*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 復(fù)合型 太陽能電池 光伏焊帶 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種太陽能電池用的焊接裝置,更確切地說是涉及一種銅鋁復(fù)合型太陽能電池光伏焊帶方面的發(fā)明。
背景技術(shù)
光伏焊帶是用在光伏組件上的焊接裝置,主要起到連接導(dǎo)電的作用。焊帶裝置的關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)包括可焊性、抗拉強度、延伸率、電阻率。目前常用的焊帶裝置是在一種高延伸率、高拉伸強度、高導(dǎo)電的銅帶表面,通過熱涂錫的方法制備而成。隨著太陽能電池板轉(zhuǎn)化效率的提高,通過焊帶內(nèi)部的電流越來越大,因此就要求焊帶的導(dǎo)電面積不斷增加,但是隨著焊帶厚度的增大,成本也會增加,因此需要提出一種低成本、高導(dǎo)電面積的焊帶,以解決目前太陽能光伏技術(shù)領(lǐng)域的問題。
由此可見,上述現(xiàn)有的焊帶裝置仍存在有諸多的缺陷,需要加以改進。
發(fā)明內(nèi)容
本實用新型所要解決的主要技術(shù)問題在于,克服現(xiàn)有的焊帶裝置存在的缺陷,而提供一種銅鋁復(fù)合型太陽能電池光伏焊帶。
本實用新型解決其主要技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本實用新型提出的銅鋁復(fù)合型太陽能電池光伏焊帶,包括縱向延伸的帶體,帶體包括銅帶層、鋁帶層和涂錫層,銅帶層的一個表面涂覆涂錫層,銅帶層的另一個表面緊貼鋁帶層。
更好地,上述銅帶層有一系列長條形的縱向通孔,縱向通孔延伸的方向平行于帶體方向,鋁帶層有一系列長條形的橫向通孔,橫向通孔延伸的方向垂直于帶體方向,銅帶層的縱向通孔和鋁帶層的橫向通孔有重疊部位,銅帶層的縱向通孔、鋁帶層的橫向通孔和重疊部位填充焊錫。
更好地,上述銅帶層的厚度為20微米到350微米。
更好地,上述鋁帶層的厚度為20微米到350微米。
更好地,上述涂錫層的厚度為10微米到50微米。
本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。由以上技術(shù)方案可知,本實用新型由于采用上述技術(shù)方案,鋁帶層的引入可以增大導(dǎo)電面積,并能夠降低成本,銅帶層的縱向通孔、鋁帶層的橫向通孔和重疊部位填充焊錫,這樣可以很好地連接固定銅帶層和鋁帶層,在涂錫過程中就可以完成銅帶層和鋁帶層的復(fù)合。
上述說明僅為本實用新型技術(shù)方案特征部份的概述,為使專業(yè)技術(shù)人員能夠更清楚了解本實用新型的技術(shù)手段,并可依照說明書的內(nèi)容予以實施,以下以本實用新型的較佳實施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。
本實用新型的具體實施方式由以下實施例及其附圖詳細(xì)給出。
附圖說明
圖1是本實用新型的實施例的透視示意圖。
圖2是圖1中虛線AB位置的橫截面示意圖。
圖3是圖1中虛線CD位置的橫截面示意圖。
圖4是圖1中虛線EF位置的橫截面示意圖。
圖中標(biāo)記說明:1、銅帶層;2、鋁帶層;3、涂錫層;4、橫向通孔;5、縱向通孔;6、帶體。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖及較佳實施例,對依據(jù)本實用新型提出的其具體實施方式、結(jié)構(gòu)、特征及其功效,詳細(xì)說明如后。
請參閱圖1到圖4所示,本實用新型的銅鋁復(fù)合型太陽能電池光伏焊帶,包括縱向延伸的帶體6,帶體6包括銅帶層1、鋁帶層2和涂錫層3,銅帶層1的一個表面涂覆涂錫層3,銅帶層1的另一個表面緊貼鋁帶層2。
銅帶層1有一系列長條形的縱向通孔5,縱向通孔5延伸的方向平行于帶體6方向,鋁帶層2有一系列長條形的橫向通孔4,橫向通孔4延伸的方向垂直于帶體6方向,銅帶層1的縱向通孔5和鋁帶層2的橫向通孔4有重疊部位,銅帶層1的縱向通孔5、鋁帶層2的橫向通孔4和重疊部位填充焊錫。銅帶層1的厚度為20微米到350微米。鋁帶層2的厚度為20微米到350微米。涂錫層3的厚度為10微米到50微米。
以上,僅是本實用新型的較佳實施例而已,并非對本實用新型作任何形式上的限制,凡是依據(jù)本實用新型的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾,均仍屬于本實用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于深圳市華光達科技有限公司,未經(jīng)深圳市華光達科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201420834898.8/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





