[實用新型]一種光電探測器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420832879.1 | 申請日： | 2014-12-24 |
| 公開（公告）號： | CN204332969U | 公開（公告）日： | 2015-05-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 胡雙元;朱忻;帕勒布.巴特查亞;和田修 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州矩陣光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0216 | 分類號： | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250 | 代理人： | 張建綱 |
| 地址： | 215614 江蘇省蘇州市張家港市鳳*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 光電 探測器 | ||
1.一種光電探測器，包括層疊設(shè)置的半絕緣InP襯底(1)和InP緩沖層(2)，所述InP緩沖層(2)上直接形成有不相連的第一電極(5)和InGaAs光敏層(3)，所述InGaAs光敏層(3)上層疊設(shè)置有InP帽層(4)和鈍化層(8)，所述InP帽層(4)面積小于或等于所述InGaAs光敏層(3)的面積；所述鈍化層(8)中開設(shè)有暴露所述InP帽層(4)部分區(qū)域的通孔，沿所述通孔內(nèi)側(cè)壁形成環(huán)形第二電極(6)，所述第二電極(6)的部分區(qū)域延伸至所述鈍化層(8)的上部，形成搭接區(qū)；所述搭接區(qū)上部直接設(shè)置有電極引線(7)；
其特征在于，
沿所述通孔靠近所述搭接區(qū)的一側(cè)的任一切線方向，形成有貫通所述InP緩沖層(2)、所述InGaAs光敏層(3)以及所述InP帽層(4)的溝道，沿所述InP襯底(1)的平行面方向，所述溝道將層疊設(shè)置的所述InP緩沖層(2)、所述InGaAs光敏層(3)以及所述InP帽層(4)分割為兩部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電探測器，其特征在于，所述溝道中填充有鈍化材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電探測器，其特征在于，所述第二電極(6)為透光電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電探測器，其特征在于，所述鈍化層(8)覆蓋所述InGaAs光敏層(3)與所述InP帽層(4)的側(cè)壁。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電探測器，其特征在于，所述InP帽層(4)上還直接設(shè)置有至少覆蓋所述第二電極(6)中央?yún)^(qū)域的減反層，用于減少所述InP帽層(4)的反射光線。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
