[實(shí)用新型]一種雙通道耦合器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420827126.1
• 申請日: 2014-12-22
• 公開（公告）號: CN204272116U
• 公開（公告）日: 2015-04-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 閆紅來
• 申請（專利權(quán)）人: 西安外事學(xué)院
• 主分類號: H04B7/04
• 分類號: H04B7/04
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于饋線技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種雙通道耦合器。

背景技術(shù)

MIMO技術(shù)是TD-LTE的主要關(guān)鍵技術(shù)，這項(xiàng)技術(shù)不僅可以提高信道容量對抗多徑衰落，同時(shí)還可以提升系統(tǒng)總吞吐量和單用戶吞吐量。作為高速數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)需求明顯的室內(nèi)分布場景，其TD-LTE的網(wǎng)絡(luò)建設(shè)也將采用基于雙通道的MIMO技術(shù)。在實(shí)際建網(wǎng)的過程當(dāng)中，很多物業(yè)點(diǎn)已建有單通道分布系統(tǒng)(GSM/TD-SCDMA)，在新建另一路通道時(shí)很難保證與原已有通道的路徑損耗完全一致，這樣就會產(chǎn)生雙通道功率不平衡的問題。雙通道功率不平衡的情況，將會對系統(tǒng)的下行業(yè)務(wù)性能產(chǎn)生一定的影響，特別是在雙通道功率不平衡程度超過3dB的時(shí)候，影響是比較明顯的，影響的區(qū)域主要集中在雙通道的邊緣區(qū)域。因此，在TD-LTE室內(nèi)分布的場景實(shí)際設(shè)計(jì)與建設(shè)中，應(yīng)盡力量避免雙通道不平衡情況的發(fā)生。

目前，雙路室分中的耦合器都是單個(gè)安裝，在安裝時(shí)所有接頭需要人工制作，接頭的工藝參差不齊，造成功率損耗不同。在每一個(gè)耦合器的安裝處需要安裝兩個(gè)相同的器件，雖然是兩個(gè)相同的器件，有可能是不同的生產(chǎn)廠家生產(chǎn)的，器件本省存在著差異，即就是相同的質(zhì)量的器件也需要安裝兩次，耗費(fèi)人力。

發(fā)明內(nèi)容

為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型的目的是提供一種雙通道耦合器，具有結(jié)構(gòu)簡單、易于推廣和使用方便的特點(diǎn)。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是：一種雙通道耦合器，包括有耦合器A和耦合器B，耦合器A的直通端與集成雙通道耦合器直通端相連；耦合器A的耦合端與集成雙通道耦合器輸入端A相連；耦合器A的輸入端與集成雙通道耦合器輸入端B相連；集成雙通道耦合器輸入端A與耦合器B的耦合端相連；耦合器B的輸入端與集成雙通道耦合器輸入端B相連；耦合器B的直通端與集成雙通道耦合器直通端相連。

所述的耦合器A和耦合器B之間設(shè)有信號屏蔽層。

所述的集成雙通道耦合器輸入端A通過集成雙通道耦合器內(nèi)部連線與耦合器B的耦合端相連；

本實(shí)用新型的有益效果是：

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型采用雙通道的耦合器，將目前的單通道的耦合器進(jìn)行集成封裝，即將兩個(gè)普通的耦合器在一個(gè)盒子內(nèi)進(jìn)行組裝，中間添加信號屏蔽層，內(nèi)部通過標(biāo)準(zhǔn)的工藝進(jìn)行接口的連接；采用集成的耦合器將原來每個(gè)接頭需要制作兩個(gè)接頭的工作變成只做一個(gè)接頭，大大減少了制作工藝帶來的功率偏差。具有結(jié)構(gòu)簡單、易于推廣和使用方便的特點(diǎn)。

采用本實(shí)用新型很大程度的降低了施工困難，減少了建設(shè)的工程量，降低了由于施工過程中人為產(chǎn)生的通道之間功率不平衡的發(fā)生，同時(shí)避免了不同生產(chǎn)廠家的設(shè)備混用，或者在同一位置使用了不同型號的無源器件等問題，使建設(shè)雙路室分變成和目前建設(shè)單路室分一樣方便、靈活，為LTE后續(xù)的發(fā)展提供了有力的保障。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)原理和工作原理作進(jìn)一步詳細(xì)說明。

參見圖1，一種雙通道耦合器，包括有耦合器A1和耦合器B2，耦合器A1的直通端3與集成雙通道耦合器直通端12相連；耦合器A1的耦合端4與集成雙通道耦合器輸入端A5相連；耦合器A1的輸入端6與集成雙通道耦合器輸入端B7相連；集成雙通道耦合器輸入端A5與耦合器B2的耦合端9相連；耦合器B2的輸入端10與集成雙通道耦合器輸入端B7相連；耦合器B2的直通端11與集成雙通道耦合器直通端12相連。

所述的耦合器A1和耦合器B2之間設(shè)有信號屏蔽層13。

所述的集成雙通道耦合器輸入端A5通過集成雙通道耦合器內(nèi)部連線8與耦合器B2的耦合端9相連；

本實(shí)用新型的工作原理是：

使用兩個(gè)同型號，同性能的耦合器封裝到一個(gè)無源器件中，對外的接口是封裝到一體的，采用機(jī)械化設(shè)備進(jìn)行接頭的封裝制作，保證每一個(gè)接頭到耦合器的工作部分損耗相等，使兩個(gè)耦合器的性能一樣。使過雙通道耦合器的兩路信號衰減值相等。