[實用新型]一種微聚光增效光伏焊帶有效
| 申請號: | 201420822404.4 | 申請日: | 2014-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN204289484U | 公開(公告)日: | 2015-04-22 |
| 發明(設計)人: | 肖笛;譚偉 | 申請(專利權)人: | 上海華友金裕微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/05 | 分類號: | H01L31/05;H01L31/054 |
| 代理公司: | 常州市科誼專利代理事務所 32225 | 代理人: | 孫彬 |
| 地址: | 201700 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 聚光 增效 光伏焊帶 | ||
技術領域
本實用新型涉及太陽能光伏焊帶技術領域,具體涉及一種微聚光增效光伏焊帶。
背景技術
目前,光伏焊帶是將太陽電池連接成串的關鍵輔料,太陽電池通過焊帶連接后形成一個完整的電氣通路,光能通過太陽能電池轉化為電能,產生的電流通過焊帶形成傳輸電路,為利用太陽能提供通路基礎。現有普通焊帶經過焊接后表面較為平坦,進入組件的光線入射到平坦的焊帶表面,通過鏡面反射出去無法被利用,入射光的利用率很低;為了提高利用率,目前存在一些特殊的異型焊帶,表面加工成一定的反光溝槽結構,表面反光溝槽的夾角?Φ1?呈111°~137°,表面的反光鍍層為Ag等高反射率高熔點貴金屬,表面的鍍層通常為1~5μm,當光入射到溝槽結構經過一定角度溝槽結構的反射,再經過玻璃、空氣界面的二次反射到達電池片表面,被再次利用,從而提高了入射光的利用率。
在申請號為201320775180.1的中國專利公開了一種微聚光增效光伏焊帶,它包括基帶和設置在基帶受光面上的反射鍍層,基帶的背光面為平整表面,基帶的受光面上設置有多個凸起的倒V型鋸齒,并且基帶的受光面上在相鄰的倒V型鋸齒之間設置有向背光面側凹進并且用來儲存重熔后反射鍍層材料的儲存槽,倒V型鋸齒的夾角β為106°~137°。本實用新型充分考慮了焊接后反射鍍層在重熔后的表面形貌的變化,增加焊帶的有效聚光區域,從而提高光伏組件功率。
實用新型內容
本實用新型的目的是為了彌補現有技術的不足,提供了一種可提高入射光利用率、提高光伏組件功率的微聚光光伏焊帶。
為了達到本實用新型的目的,技術方案如下:
一種微聚光增效光伏焊帶,包括基帶和設置在所述基帶受光面上的反射鍍層,基帶的背光面為平面,其特征在于,所述基帶受光面上設置有多個凸出的凸起,所述凸起的表面為弧形,所述凸起之間有間距,所述凸起之間的最短間距小于或者等于凸起底部之間的間距。
進一步,所述凸起之間的最短間距小于凸起底部之間的間距。
進一步,所述凸起為半球形。
進一步,所述凸起的高度為80~140μm,所述凸起的寬度為80~160μm,所述凸起之間的最短間距為50~70μm,所述凸起底部之間的間距為50~90μm。
本實用新型具有的有益效果:
基帶受光面上設置有多個凸出的凸起,凸起的表面為弧形,相比表面為平面或者只是鋸齒形的斜面,弧形有更廣的反射范圍,可將入射光往各個角度反射,經玻璃再被反射到基帶的受光面上,提高了入射光的利用率。
并且通過設置特殊的結構和尺寸,在凸起的下部,當某個角度入射進來的太陽光經第一次反射后反射到凸起靠下端的弧形球面上,又會反射到相鄰的另一個凸起靠下端的弧形球面上,最終又反射到焊帶的受光面上,不會反射出去,進一步提高了入射光的利用率,進而提高了光伏組件的功率。
附圖說明
圖1為本實用新型微聚光光伏焊帶使用時光反射的結構示意圖;
圖2為本實用新型微聚光光伏焊帶實施例1的結構示意圖;
圖3為本實用新型微聚光光伏焊帶實施例2的結構示意圖;
圖4為本實用新型微聚光光伏焊帶實施例3的結構示意圖。
具體實施方式
下面結合實施例對本實用新型作進一步描述,但本實用新型的保護范圍不僅僅局限于實施例。
如圖1和圖2所示,一種微聚光增效光伏焊帶,包括基帶1和設置在所述基帶1受光面上的反射鍍層,基帶1的背光面為平面,基帶1受光面上設置有多個凸出的凸起2,凸起2的表面為弧形,相比表面為平面或者只是鋸齒形的斜面,弧形有更廣的反射范圍,可將入射光往各個角度反射,進一步提高入射光的利用率。弧形的凸起2之間有間距,且凸起2之間的最短間距小于或者等于凸起2底部之間的間距。
凸起2的高度為80~140μm,凸起2的寬度為80~160μm,凸起2之間的最短間距為50~70μm,所述凸起2底部之間的間距為50~90μm。
繼續結合圖2、圖3和圖4所示,分別為本實用新型的三種實施例,實施例1的圖2中,弧形凸起2體積小于半球形;實施例2的圖3中,弧形凸起2體積等于半球形體積,即凸起2為半球形的結構;圖2和圖3中,凸起2之間的最短間距等于凸起2底部之間的間距。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





