[實用新型]一種新型反熔絲元件

有效

• 申請號: 201420820872.8
• 申請日: 2014-12-19
• 公開（公告）號: CN204375742U
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發明（設計）人: 孟玲
• 申請（專利權）人: 孟玲
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

技術領域

本實用新型涉及一種新型反熔絲元件，適用于電氣元件設計領域。

背景技術

傳統半導體器件包括一個調整電路，以用于冗余電路的設置或電阻值調整。所述調整電路使用如熔絲類的元件來改變電路的通電或斷電狀態，從而響應供應電壓或電流。然而，對于這種調整電路，熔絲中的熔斷部分難以保證足夠的絕緣距離，甚至出現熔斷部分隨時間推移而重新連接的情況。因此提出了一種當被施加了一定值以上的電壓時就短路而使電流流過的反熔絲元件。

傳統的反熔絲元件包括兩個導體，導體之間設置有絕緣膜。在所述反熔絲元件中，需要在導體上施加能擊穿絕緣膜的高電壓來實現穩定的短路狀態。因此，半導體器件中需要使用與所述高電壓對應的元件和控制電路，從而增大了半導體器件的尺寸。

實用新型內容

針對上述問題，本實用新型的目的是提供一種新型反熔絲元件，通過改善傳統反熔絲結構來降低所需擊穿電壓值，從而解決傳統半導體器件尺寸過大的問題。

為解決上述技術問題，本實用新型采用的技術方案是：一種新型反熔絲元件，包括第一導體、絕緣膜、第二導體、第一插塞、第二插塞、第三插塞和蓋膜；其中所述絕緣膜設置于第一導體上；所述第二導體設置于絕緣膜上，優選為多晶硅；所述第一插塞耦合到第一導體；所述第二插塞和第三插塞耦合到第二導體；所述蓋膜設置于第二導體上，優選為氮化硅膜，且比絕緣膜有更大的抗拉強度。

所述第二導體包括長方形的連接片以及連接片兩端上的矩形接線端子，其中所述連接片向下延伸、穿過所述絕緣膜并連接到第一導體，從而所述第一插塞通過連接片連接第二插塞和第三插塞。

所述蓋膜至少接觸所述第二導體的上表面，但不接觸所述第二導體的下表面。進一步地，所述絕緣膜接觸所述第一導體的上表面和第二導體的下表面，其中所述蓋膜接觸所述第二導體除下表面外的所有表面。

進一步地，所述反熔絲元件還包括第一接觸孔；其中所述第一接觸孔從其上表面延伸到所述第一導體上表面，其內部設置所述第一插塞；所述第二接觸孔從其上表面分別延伸到所述第二導體的接線端子，其內部分別設置所述第二插塞、第三插塞。

進一步地，所述反熔絲元件還包括半導體基板、絕緣區和夾層絕緣膜；其中所述半導體基板設置于第一導體下面；所述絕緣區設置于半導體基板上，從而使所述第一導體與其他半導體基板上的元件電隔離；所述夾層絕緣膜設置于蓋膜上，優選為氧化硅膜，且上表面優選為平面，夾層絕緣膜上表面可設置線層。

優選地，所述絕緣膜的厚度為18nm；所述蓋膜的厚度為30nm。

優選地，所述第二導體的連接片的長度為2μm，寬度為1.2μm，厚度為400nm。

優選地，所述第一導體的寬度為1.5μm。

本實用新型的有益效果是：所需擊穿電壓值較低，不需要在半導體器件中設置額外的元件和控制電路，從而減小了半導體器件的尺寸；可以連續保持電路通電或斷電的狀態；結構簡單，降低了制造成本。

附圖說明

圖1是本實用新型熔斷器的平面示意圖。

圖2是本實用新型圖1沿剖線A-A的剖視圖。

圖3是本實用新型圖1沿剖線B-B的剖視圖。

其中，10-半導體器件；11-反熔絲元件；21-半導體基板；22-第一導體；23-絕緣區；24-絕緣膜；25-第二導體；25a-連接片；25b、25c-接線端子；26-蓋膜；27-夾層絕緣膜；28a、28b、28c-接觸孔；29a、29b、29c-插塞。

具體實施方式

結合附圖，對實用新型作進一步詳細說明。

參見圖1、圖2，本實施例反熔絲元件11設置于半導體器件10上，包括第一導體22和第二導體25，其中所述第二導體25設置于第一導體22上并與第一導體22部分重疊。所述第一導體22上面設有絕緣膜24，下面設有半導體基板21，側邊設有絕緣區23，其中絕緣區23使第一導體22與其他半導體基板21上的元件電隔離。所述絕緣膜24上面設有第二導體25和蓋膜26，蓋膜26上設有夾層絕緣膜27；其中所述第二導體25包括長方形連接片25a以及連接片25a兩端上的矩形接線端子25b、25c；所述蓋膜26覆蓋第二導體25的上表面及側邊，優選為氮化硅膜，且比絕緣膜24有更大的抗拉強度；所述夾層絕緣膜27優選為氧化硅膜，其上表面優選為平面。