[實用新型]半導體器件有效
| 申請號： | 201420816355.3 | 申請日： | 2014-12-19 |
| 公開（公告）號： | CN204289465U | 公開（公告）日： | 2015-04-22 |
| 發明（設計）人： | 楊彥濤;陳文偉;李云飛;陶玉美;王偉 | 申請（專利權）人： | 成都士蘭半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 610404 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體器件，其特征在于，包括：
具有特定摻雜類型的半導體襯底；
形成于所述半導體襯底中的溝槽；
通過涂布工藝形成于所述溝槽中的乳膠摻雜源；以及
通過對所述溝槽中的乳膠摻雜源進行烘烤和擴散進而形成于所述溝槽周圍的半導體襯底的摻雜區。
2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體襯底的摻雜類型為P型時，所述乳膠摻雜源的摻雜類型為N型；所述半導體襯底的摻雜類型為N型時，所述乳膠摻雜源的摻雜類型為P型。
3.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件是超結金屬氧化物半導體場效應晶體管。
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