[實用新型]一種用于DRAM中的高速離線驅(qū)動器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420815276.0 | 申請日： | 2014-12-18 |
| 公開（公告）號： | CN204332376U | 公開（公告）日： | 2015-05-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉海飛 | 申請（專利權(quán)）人： | 西安華芯半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | G11C11/4063 | 分類號： | G11C11/4063 |
| 代理公司： | 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 61211 | 代理人： | 張倩 |
| 地址： | 710055 陜西省西安*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 用于 dram 中的 高速 離線 驅(qū)動器 | ||
1.一種用于DRAM中的高速離線驅(qū)動器，包括反相器、與非門、或非門、p型MOS管以及n型MOS管，其特征在于：所述與非門和或非門的上升沿匹配，所述與非門和或非門的下降沿匹配。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于DRAM中的高速離線驅(qū)動器，其特征在于：所述與非門包括p型MOS管P0、p型MOS管P1、p型MOS管P2、n型MOS管N0、n型MOS管N1以及n型MOS管N2，輸入數(shù)據(jù)data_in分別輸入到p型MOS管P0和n型MOS管N0的柵端，控制信號sel輸入到p型MOS管P2和n型MOS管N1的柵端，p型MOS管P1的源端接電源，p型MOS管P1的柵端接地，p型MOS管P1的漏端與p型MOS管P0的源端蓮接，n型MOS管N0的漏端與n型MOS管N1的源端連接，n型MOS管N1的漏端接地，p型MOS管P2的源端接電源，n型MOS管N2的柵端和漏端均接地，p型MOS管P0的漏端、n型MOS管N0的源端、p型MOS管P2的漏端以及n型MOS管N2的源端均連接后與p型MOS管的柵端連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于DRAM中的高速離線驅(qū)動器，其特征在于：所述或非門包括p型MOS管P3、p型MOS管P4、p型MOS管P5、n型MOS管N3、n型MOS管N4以及n型MOS管N5，輸入數(shù)據(jù)data_in分別輸入到p型MOS管P3和n型MOS管N3的柵端，所述反相器(INV)的輸出端輸出反相控制信號sel_n，反相控制信號sel_n輸入到p型MOS管P4和n型MOS管N5的柵端，p型MOS管P4的源端接電源，p型MOS管P4的漏端與p型MOS管P3的源端連接，n型MOS管N3的漏端與n型MOS管N4的源端連接，n型MOS管N4的漏端接地，p型MOS管P5的源端和柵端均接電源，n型MOS管N5的漏端接地，p型MOS管P3的漏端、n型MOS管N3的源端、p型MOS管P5的漏端以及n型MOS管N5的源端均連接后與n型MOS管的柵端連接。
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