[實(shí)用新型]CIGS薄膜電池

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420814184.0
• 申請(qǐng)日: 2014-12-20
• 公開（公告）號(hào): CN204614795U
• 公開（公告）日: 2015-09-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張明宇;安娜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 云南能投能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院
• 主分類號(hào): H01L31/04
• 分類號(hào): H01L31/04;H01L31/055;H01L31/0216
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及電力生產(chǎn)領(lǐng)域，尤其涉及一種CIGS薄膜電池。

背景技術(shù)

CIGS是太陽能薄膜電池CuInxGa(1-x)Se2的簡(jiǎn)寫，具有穩(wěn)定性好、抗輻照性能好、成本低、效率高等優(yōu)點(diǎn)，以被廣泛應(yīng)用于光伏產(chǎn)業(yè)中，目前，現(xiàn)有的CIGS薄膜電池一般包括具有硫化鎘(CdS)的緩沖層，緩沖層CdS具有潛在的毒性，可造成薄膜和環(huán)境的污染，并可降低太陽能電池的性能。

實(shí)用新型內(nèi)容

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的一個(gè)目的是提供一種CIGS薄膜電池，以解決上述問題。

本實(shí)用新型提供了一種CIGS薄膜電池，包括：基底，通過濺射法沉積鉬在基底上的背接觸件，通過共蒸鍍法沉積在背接觸件上的P型CIGS層，淀積在P型CIGS層上的N型CIGS層和通過電子束蒸鍍法沉積氟化鎂在N型CIGS層上的反射防止膜；背接觸件與基底連接，P型CIGS層與背接觸件連接，N型CIGS層與P型CIGS層連接，反射防止膜與N型CIGS層連接。

進(jìn)一步，基底為鈉鈣玻璃。

進(jìn)一步，N型CIGS層由混合的堿金屬和硒化物構(gòu)成。

進(jìn)一步，堿金屬包括鈉。

進(jìn)一步，硒化物包括Na2Se。

進(jìn)一步，反射防止膜的側(cè)面設(shè)有柵電極。

進(jìn)一步，N型CIGS層上沉積有透明電極層。

進(jìn)一步，透明電極層為氧化鋅薄膜。

與現(xiàn)有技術(shù)相比本實(shí)用新型的有益效果是：通過將P型CIGS層耦合到N型CIGS層，形成具有單一連接點(diǎn)的光吸收層，無需設(shè)置具有硫化鎘的緩沖層，提高了太陽能電池性能，避免了有毒物質(zhì)對(duì)薄膜及環(huán)境的污染。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型CIGS薄膜電池一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型CIGS薄膜電池另一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面通過具體的實(shí)施例子并結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。

如圖1、圖2所示，圖1是本實(shí)用新型CIGS薄膜電池一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實(shí)用新型CIGS薄膜電池另一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

參圖1所示，本實(shí)施例提供了一種CIGS薄膜電池，包括基底1，通過濺射法沉積鉬在基底1上的背接觸件2，通過共蒸鍍法沉積在背接觸件2上的P型CIGS層31，淀積在P型CIGS層上的N型CIGS層32，P型CIGS層31及N型CIGS層32組成光吸收層3，和通過電子束蒸鍍法沉積氟化鎂在N型CIGS層32上的反射防止膜4。

本實(shí)施例通過將P型CIGS層31耦合到N型CIGS層32，形成具有單一連接點(diǎn)的光吸收層3，無需設(shè)置具有硫化鎘的緩沖層，提高了太陽能電池性能，避免了有毒物質(zhì)對(duì)薄膜及環(huán)境的污染。

在本實(shí)施例中，基底1可采用鈉鈣玻璃。

在本實(shí)施例中，使用濺射法形成的鉬(Mo)薄膜具有低電阻率的電極和較大的粘接力，可以防止由于在熱膨脹系數(shù)差造成的背接觸件2與基底1的剝離。

在本實(shí)施例中，N型CIGS層32由混合的堿金屬和硒化物構(gòu)成，其中，堿金屬包括鈉(Na)。

在本實(shí)施例中，硒化物包括Na2Se。

在本實(shí)施例中，反射防止膜4的側(cè)面設(shè)有柵電極5，將柵電極5設(shè)置在反射防止膜4的側(cè)面可以增加太陽光的吸收率，提高太陽能電池的效率。

參圖2所示，沉積光吸收層3和反射防止膜4之間設(shè)有具有高光透射率和高導(dǎo)電性的透明電極層6，透明電極層6沉積在N型CIGS層32上。

在本實(shí)施例中，透明電極層6為氧化鋅(ZnO)薄膜，ZnO薄膜可以與Al或B摻雜以獲得更小的電阻值。

在本實(shí)施例中，還可采用在氧化鋅(ZnO)薄膜沉積銦錫氧化物(ITO)的雙層結(jié)構(gòu)，以獲得更優(yōu)良的電光學(xué)特性。

雖然本發(fā)明已經(jīng)描述了關(guān)于具體實(shí)施例，但將顯而易見的本領(lǐng)域技術(shù)人員進(jìn)行各種變化和修改可以做出而不脫離本發(fā)明的精神和范圍如在下面的權(quán)利要求限定。

上文所列出的一系列的詳細(xì)說明僅僅是針對(duì)本實(shí)用新型的可行性實(shí)施方式的具體說明，它們并非用以限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍，凡未脫離本實(shí)用新型技藝精神所作的等效實(shí)施方式或變更均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。

對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本實(shí)用新型不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié)，而且在不背離本實(shí)用新型的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型。因此，無論從哪一點(diǎn)來看，均應(yīng)將實(shí)施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本實(shí)用新型內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所涉及的權(quán)利要求。