[實(shí)用新型]一種磁控濺射鍍膜用陰極有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420801801.3 | 申請日: | 2014-12-16 |
| 公開(公告)號: | CN204281852U | 公開(公告)日: | 2015-04-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李震 | 申請(專利權(quán))人: | 張家港市銘斯特光電科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35 |
| 代理公司: | 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103 | 代理人: | 孫仿衛(wèi) |
| 地址: | 215623 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 磁控濺射 鍍膜 陰極 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種磁控濺射鍍膜裝置,具體涉及一種磁控濺射鍍膜用陰極。
背景技術(shù)
目前,在對片狀材料,如玻璃基板進(jìn)行鍍膜時(shí),通常采用的是磁控濺射鍍膜的方式,其工作原理為:在真空條件中,電子在電場作用下飛向基片,在此過程中與惰性氣體原子發(fā)生碰撞,使惰性氣體原子電離產(chǎn)生出惰性氣體正離子和新的電子;惰性氣體正離子在電場作用下加速飛向陰極,并以高能量轟擊靶表面,使靶材發(fā)生濺射,濺射出的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜。在整個(gè)磁控濺射過程中,要求鍍膜真空室內(nèi)保持一定的真空度以確保磁控濺射得到的鍍膜膜層穩(wěn)定,而目前,一般在靶座與真空室側(cè)壁間設(shè)置覆蓋整個(gè)靶座的密封件以確保兩者間相密封設(shè)置,由于密封區(qū)域跨度較大,對靶座上的密封面平整度要求較高。而同時(shí),傳統(tǒng)的固定靶材主要采用直接用內(nèi)六角螺栓等通過壓靶條將靶材固定在靶背板上,這種方式通常使得靶材的厚度受到限制,不能低于某一定值;另一方面,由于采用內(nèi)六角螺栓通過壓靶條固定靶材,濺射時(shí)壓靶條材料也會(huì)一同被濺射并沉積到基片上,使得基片上所濺射的膜層被引入雜質(zhì),降低所鍍薄膜的純度和質(zhì)量;此外,濺射物質(zhì)還會(huì)沉積到螺栓孔附近使螺栓孔堵塞,造成更換靶材時(shí)靶材難以取下。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是提供一種磁控濺射鍍膜用陰極,其結(jié)構(gòu)簡單、密封性能好、所鍍薄膜的質(zhì)量好。
為達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是:一種磁控濺射鍍膜用陰極,安裝在磁控濺射鍍膜真空室內(nèi),包括安裝在所述真空室側(cè)壁上的靶座、設(shè)于所述靶座正面的靶背板、固設(shè)在所述靶座內(nèi)腔中的磁體、焊接在所述靶背板正面的靶材,所述陰極還包括用于防止所述靶座與所述真空室側(cè)壁間泄漏的密封機(jī)構(gòu),所述密封機(jī)構(gòu)包括設(shè)于所述靶座背面的多個(gè)密封件、一端固設(shè)在所述靶座背面的鎖緊桿,所述鎖緊桿的另一端上還套設(shè)有鎖緊螺母,所述鎖緊桿沿其軸向依次穿設(shè)通過所述密封件、所述真空室側(cè)壁后與所述鎖緊螺母相鎖緊,所述鎖緊桿在數(shù)量上與所述密封件相等。
優(yōu)選地,所述密封件有兩個(gè),分別設(shè)于所述靶座背面的上下兩端。
優(yōu)選地,所述密封機(jī)構(gòu)還包括依次設(shè)于所述真空室側(cè)壁外側(cè)的絕緣墊、金屬墊,所述鎖緊桿沿其軸向依次穿設(shè)通過所述密封件、所述真空室側(cè)壁、所述絕緣墊、所述金屬墊后與所述鎖緊螺母相鎖緊。
優(yōu)選地,所述靶背板的正面還涂抹有用于焊接所述靶材的焊料,所述焊料為含銦焊料。
優(yōu)選地,所述靶背板為銅質(zhì)背板。
優(yōu)選地,所述靶材為ITO靶材。
優(yōu)選地,所述密封件采用了絕緣材料制成。
進(jìn)一步優(yōu)選地,所述靶座與所述靶背板間還設(shè)有用于兩者密封的密封圈。
由于上述技術(shù)方案的運(yùn)用,本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn):本實(shí)用新型的磁控濺射鍍膜用陰極,通過設(shè)置密封機(jī)構(gòu)使得靶座與鍍膜真空室側(cè)壁間密封性更好,在靶座背面上下兩端分別設(shè)置密封件有效的減少了兩者間的密封區(qū)域,降低了真空室室內(nèi)的漏氣率,提高了靶座的濺射效率,同時(shí)采用焊料焊接地方式將靶材固定在靶背板,不僅簡化了陰極結(jié)構(gòu),避免了鍍膜過程中引入雜質(zhì),同時(shí)確保了所鍍薄膜的質(zhì)量。
附圖說明
附圖1為本實(shí)用新型所述的磁控濺射鍍膜用陰極的結(jié)構(gòu)示意圖圖;
附圖2為圖1所示的磁控濺射鍍膜用陰極的剖視圖;
其中:1、真空室側(cè)壁;2、靶座;3、靶背板;4、磁體;5、靶材;6、密封機(jī)構(gòu);61、密封件;62、鎖緊桿;63、鎖緊螺母;64、絕緣墊;65、金屬墊;?7、焊料;8、密封圈。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖來對本實(shí)用新型的技術(shù)方案作進(jìn)一步的闡述。
參見圖1、圖2所示,一種磁控濺射鍍膜用陰極,安裝在磁控濺射鍍膜真空室內(nèi),包括安裝在真空室側(cè)壁1上的靶座2、設(shè)于靶座2正面的靶背板3、固設(shè)在靶座2內(nèi)腔中的磁體4、焊接在靶背板3正面的靶材5,在本實(shí)施例中,靶材5為矩形平面的ITO靶材5,且該靶材5與直流電源的負(fù)極相連接。在本實(shí)施例中,靶背板3采用了導(dǎo)熱性好的銅質(zhì)背板,磁體4為永磁鐵。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





