[實用新型]一種抗隱裂太陽能組件有效
| 申請號： | 201420799317.1 | 申請日： | 2014-12-17 |
| 公開（公告）號： | CN204464298U | 公開（公告）日： | 2015-07-08 |
| 發明（設計）人： | 任現坤;王光利;尹蘭超;黃國強;姜言森;賈河順;馬繼磊;張春艷;徐振華;支開印;陳兵兵 | 申請（專利權）人： | 山東力諾光伏高科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/048 | 分類號： | H01L31/048;H01L31/18 |
| 代理公司： | 濟南舜源專利事務所有限公司 37205 | 代理人： | 于曉曉 |
| 地址： | 250103 山東省濟南*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 抗隱裂 太陽能 組件 | ||
【權利要求書】：
1.一種抗隱裂太陽能組件，其特征在于，該太陽能電池組件包括基板，在基板上依次有第一膜層、太陽能電池片層、第二膜層、第三膜層、透明背板；
所述的第二膜層為阻隔層，采用與第三膜層不粘合的膜層結構，實現第三膜層與太陽能電池片層的局部分離。
2.根據權利要求1所述的一種抗隱裂太陽能組件，其特征在于，所述的第二膜層局部鏤空，形狀為網格或者螺旋結構。
3.根據權利要求2所述的一種抗隱裂太陽能組件，其特征在于，第二膜層的厚度為10-2000微米，鏤空區域占第二膜層的總面積比為20~80%。
4.根據權利要求3所述的一種抗隱裂太陽能組件，其特征在于，所述的網格結構鏤空區域均勻分布，鏤空區域為規則圖形或不規則圖形，網格結構鏤空區域平均寬度為0.1-5000微米，網格結構非鏤空區域平均寬度為0.1-5000微米。
5.根據權利要求3所述的一種抗隱裂太陽能組件，其特征在于，所述的螺旋結構可以為一個以上，螺旋結構在組件中均勻分布，其螺旋結構鏤空區域寬度為0.1-5000微米，螺旋結構非鏤空區域寬度為0.1-5000微米。
6.根據權利要求5所述的一種抗隱裂太陽能組件，其特征在于，所述的螺旋結構數目與太陽能電池片數一一對應。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
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H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
