[實用新型]全包封半導體芯片

有效

• 申請號: 201420785526.0
• 申請日: 2014-12-11
• 公開（公告）號: CN204391086U
• 公開（公告）日: 2015-06-10
• 發明（設計）人: 施建根
• 申請（專利權）人: 南通富士通微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31
• 代理公司: 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435
• 代理人: 孟阿妮;郭棟梁

技術領域

本實用新型涉及半導體封裝技術領域，尤其涉及一種全包封半導體芯片。

背景技術

半導體器件在成本降低和前道晶圓制造工藝的提升的共同促進下，實現了同樣功能的半導體器件的單體芯片尺寸越來越小的目標，可以在半導體晶圓上形成可以直接應用在印刷電路板上安裝的焊球。由于半導體晶圓制造工藝局限性或者設計者出于同一款集成電路多種用途的考慮，在半導體晶圓級封裝時需要對傳輸電信號的輸入輸入端子重新定義位置設置焊球。

參見圖1，是有技術中重新定義焊球位置的方式芯片，包括晶片101’主動面形成電路后表面有電極102’和第一鈍化層103’，在第一鈍化層上形成第二鈍化層110’，第二鈍化層在電極102’附近形成開口；在第二造鈍化層110’上形成再布線金屬層210’；再形成第三造鈍化層310’，第三鈍化層在再布線210’上形成開口；在第三鈍化層開口上形成凸點下金屬層410’；通過植球回流的方法形成球形凸點510’；在半導體晶圓101’的背面貼一層背膠膜610’并固化；切割后形成全包封晶圓級封裝的單體100’。

這種方式容易形成第三鈍化層310’底部與再布線金屬層210’頂部之間的分層，這種產品容易造成后續的電性能失效，并且晶圓底面結構不易散熱，容易使晶圓損壞。

實用新型內容

在下文中給出關于本實用新型的簡要概述，以便提供關于本實用新型的某些方面的基本理解。應當理解，這個概述并不是關于本實用新型的窮舉性概述。它并不是意圖確定本實用新型的關鍵或重要部分，也不是意圖限定本實用新型的范圍。其目的僅僅是以簡化的形式給出某些概?念，以此作為稍后論述的更詳細描述的前序。

本實用新型要解決的至少一個技術問題是：如何避免保護層與晶片結構分層，使保護結構更牢固。

為了解決上述問題，本實用新型提供一種全包封半導體芯片，包括：晶片結構，所述晶片結構底部開設有朝向所述晶片頂部延伸的背面盲孔；保護層，形成于所述晶片結構外和所述盲孔內，并露出所述晶片結構上植球部的上表面。

本實用新型至少具備如下有益效果：不需要形成第三鈍化層，避免第三鈍化層底部與晶圓之間分層，保護層包裹在晶片結構外不易分層變形，保護層還伸入到盲孔內，使保護層結構更加牢靠。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現有技術芯片結構的示意圖；

圖2為本實用新型一種芯片結構的示意圖；

圖3為本實用新型另一種芯片結構的示意圖。

附圖標記：?

103-第一鈍化層；110-第二鈍化層；210-布線金屬層；101-晶片；102-電極；104a-殘余的連接梗；410-銅柱；320a-上保護層；320b-下保護層；320c-側面保護層；320d-內保護層；510-焊球。

具體實施方式

為使本實用新型實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本實用新型一部分實施?例，而不是全部的實施例。在本實用新型的一個附圖或一種實施方式中描述的元素和特征可以與一個或更多個其它附圖或實施方式中示出的元素和特征相結合。應當注意，為了清楚的目的，附圖和說明中省略了與本實用新型無關的、本領域普通技術人員已知的部件和處理的表示和描述?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I域普通技術人員在沒有付出創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

在本實用新型以下各實施例中，實施例的序號和/或先后順序僅僅便于描述，不代表實施例的優劣。對各個實施例的描述都各有側重，某個實施例中沒有詳述的部分，可以參見其他實施例的相關描述。

本實用新型涉及一種全包封半導體芯片，參見圖2和圖3，包括：晶片結構，以及形成在晶片結構外周的保護層，晶片結構底部開設有朝向晶片頂部延伸的背面盲孔，保護層還形成在該盲孔內，并露出所述晶片結構上植球部的上表面。即，晶片結構上植球部的上表面從保護層中露出。