[實用新型]提高晶體生長速度的發熱筒及晶體生長裝置有效
| 申請號： | 201420784395.4 | 申請日： | 2014-12-11 |
| 公開（公告）號： | CN204417638U | 公開（公告）日： | 2015-06-24 |
| 發明（設計）人： | 陶瑩;巴音圖;鄧樹軍;高宇;趙梅玉 | 申請（專利權）人： | 河北同光晶體有限公司 |
| 主分類號： | C30B23/00 | 分類號： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 天津濱海科緯知識產權代理有限公司 12211 | 代理人： | 韓敏 |
| 地址： | 071051 河北省保定市二環路*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 提高 晶體生長 速度 發熱 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種提高晶體生長速度的發熱筒，包括石墨筒體，其特征在于:所述筒體下半部分與碳化硅原料對應部分的壁厚薄，且該部分的壁厚與石墨坩堝壁厚之和處于趨膚效應厚度范圍之內，所述筒體上半部分的壁厚大于所述筒體下半部分的壁厚5mm到30mm。
2.根據權利要求1所述的提高晶體生長速度的發熱筒，其特征在于：所述筒體為上下兩段式結構，上半部分與下半部分之間設有石墨氈。
3.根據權利要求2所述的提高晶體生長速度的發熱筒，其特征在于：所述石墨氈的高度為5-20mm。
4.根據權利要求1-3任一項所述的提高晶體生長速度的發熱筒，其特征在于：所述筒體上半部分的壁厚為15-30mm，所述下半部分的壁厚為5-15mm。
5.一種晶體生長裝置，包括石墨坩堝和套設于所述石墨坩堝外的發熱筒，其特征在于：所述發熱筒采用權利要求1-4任一項所述的發熱筒。
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