[實用新型]用于生長SiC晶體的石墨坩堝有效
| 申請號： | 201420784393.5 | 申請日： | 2014-12-11 |
| 公開（公告）號： | CN204417652U | 公開（公告）日： | 2015-06-24 |
| 發明（設計）人： | 鄧樹軍;巴音圖;高宇;陶瑩;趙梅玉 | 申請（專利權）人： | 河北同光晶體有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 天津濱海科緯知識產權代理有限公司 12211 | 代理人： | 韓敏 |
| 地址： | 071051 河北省保定市二環路*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 生長 sic 晶體 石墨 坩堝 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于生長SiC晶體的石墨坩堝，其特征在于:包括蓋體和帶底的筒體，所述蓋體具有向下彎折的邊沿，所述邊沿的內壁與所述筒體的外壁貼合，所述蓋體上設有SiC籽晶放置腔，所述蓋體的頂部設有提拉桿，所述提拉桿與坩堝外爐體上的第一升降裝置固定連接，所述第一升降裝置通過提拉桿帶動蓋體上下運動。
2.根據權利要求1所述的用于生長SiC晶體的石墨坩堝，其特征在于：所述筒體的底部設有下拉桿，所述下拉桿與坩堝外爐體上的第二升降裝置固定連接，所述第二升降裝置通過下拉桿帶動筒體上下運動。
3.根據權利要求1或2所述的用于生長SiC晶體的石墨坩堝，其特征在于：所述蓋體邊沿的內壁為光滑面，所述筒體的外壁與所述蓋體邊沿配合的部分為光滑面。
4.根據權利要求1所述的用于生長SiC晶體的石墨坩堝，其特征在于：所述第一升降裝置為可定位升降裝置。
5.根據權利要求2所述的用于生長SiC晶體的石墨坩堝，其特征在于：所述第二升降裝置為可定位升降裝置。
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