[實用新型]一種與溫度無關的非線性斜坡補償電路

有效

• 申請號: 201420783473.9
• 申請日: 2014-12-11
• 公開（公告）號: CN204256581U
• 公開（公告）日: 2015-04-08
• 發明（設計）人: 范建林;劉迎迎;史訓南;朱波;徐義強
• 申請（專利權）人: 無錫新硅微電子有限公司
• 主分類號: G05F1/567
• 分類號: G05F1/567
• 代理公司: 無錫華源專利事務所(普通合伙) 32228
• 代理人: 林弘毅;聶漢欽

1.一種與溫度無關的非線性斜坡補償電路，其特征在于，包括線性電壓產生電路、非線性電壓產生電路、基準電流源以及基準電壓源；所述線性電壓產生電路在基準電流源的配合下，將功率管的開關控制信號轉化為線性斜坡信號，輸出至非線性電壓產生電路；所述非線性電壓產生電路在基準電壓源的配合下，將所述線性斜坡信號轉化為與溫度無關的非線性斜坡補償電壓。

2.根據權利要求1所述與溫度無關的非線性斜坡補償電路，其特征在于，所述線性電壓產生電路包括反相器、第一NMOS管以及電容；所述反相器的輸入端連接功率管的開關控制信號，輸出端連接所述第一NMOS管的柵極；所述第一NMOS管的源極接地，漏極與所述電容的一端以及基準電流源相連，并構成輸出端；所述電容的另一端接地。

3.根據權利要求1所述與溫度無關的非線性斜坡補償電路，其特征在于，所述非線性電壓產生電路包括第一運算放大器和第二運算放大器；

第一運算放大器的同相輸入端連接所述線性電壓產生電路的輸出端，第一運算放大器的輸出端連接第二NMOS管的柵極，第二NMOS管的源極連接第一電阻并與第一運算放大器的反相輸入端相連，第二NMOS管的漏極連接第一PMOS管的漏極，第一PMOS管的柵極與漏極相連；

第二運算放大器的同相輸入端連接所述基準電壓源，第二運算放大器的輸出端連接第三NMOS管的柵極，第三NMOS管的源極連接第二電阻并與第二運算放大器的反相輸入端相連，第三NMOS管的漏極連接第四PMOS管的漏極，第四PMOS管的柵極與漏極相連；

第二PMOS管、第三PMOS管、第七PMOS管與第一PMOS管構成電流鏡；第五PMOS管、第六PMOS管與第四PMOS管構成電流鏡；第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管構成電流減法器，第九PMOS管的漏極連接第三電阻，并構成輸出端；

第四NMOS管與第五NMOS管構成電流鏡，第四NMOS管與第二PMOS管的漏極相連，第五NMOS管的漏極與第一NPN晶體管的發射極相連；第六NMOS管與第七NMOS管構成電流鏡，第七NMOS管與第六PMOS管的漏極相連，第六NMOS管的漏極與第三NPN晶體管的發射極相連；第三PMOS管的漏極與第二NPN晶體管的集電極相連；第八PMOS管的漏極與第四NPN晶體管的集電極相連；第五PMOS管的漏極與PNP晶體管的發射極相連；第一NPN晶體管和第三NPN晶體管的基極相連，第二NPN晶體管的基極與第一NPN晶體管的發射極相連，第四NPN晶體管的基極與第三NPN晶體管的發射極相連，PNP晶體管的基極與第二NPN晶體管的集電極相連。

4.根據權利要求3所述與溫度無關的非線性斜坡補償電路，其特征在于，所述第二PMOS管與第三PMOS管的寬長比相等，且為第一PMOS管的一半；所述第七PMOS管的寬長比為第二PMOS管的k倍。

5.根據權利要求3所述與溫度無關的非線性斜坡補償電路，其特征在于，所述第五PMOS管、第六PMOS管與第四PMOS管的寬長比相等。

6.根據權利要求3所述與溫度無關的非線性斜坡補償電路，其特征在于，所述第四NMOS管與第五NMOS管的寬長比相等。

7.根據權利要求3所述與溫度無關的非線性斜坡補償電路，其特征在于，所述第六NMOS管與第七NMOS管的寬長比相等。