[實用新型]一種磁控濺射鍍膜真空室墻體溫控加熱裝置

有效

• 申請號: 201420770329.1
• 申請日: 2014-11-29
• 公開（公告）號: CN204265838U
• 公開（公告）日: 2015-04-15
• 發明（設計）人: 秦遵紅;王戀貴;董安光;譚華
• 申請（專利權）人: 洛陽康耀電子有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及ITO膜加熱裝置，尤其是一種磁控濺射鍍膜真空室墻體溫控加熱裝置。

背景技術

ITO透明導電膜即摻雜銦錫氧化物薄膜，簡稱ITO薄膜，是Indium?Tin?Oxide的縮寫。ITO薄膜是一種n型半導體材料，其具有許多優異的物理、化學性能，例如較高的可見光透過率和導電率，與大部分襯底具有良好的附著性，較強的硬度及良好的抗酸、堿及有機溶劑能力，因此，被廣泛應用于光電器件中。比如：液晶顯示器(LCD)，等離子顯示器(PDP)，電極放光顯示器(EL/OLED)，觸摸屏，太陽能電池及其他電子儀表中。

目前，ITO薄膜的制備方法很多，常見的有：噴涂法、真空蒸發法、化學氣相沉積、反應離子注入以及磁控濺射等。在這些制備方法中，目前磁控濺射法是用的最普遍的。由于磁控濺射具有良好的可控性和易于獲得大面積均勻的薄膜，因此被廣泛應用于顯示器件中ITO薄膜的制備。磁控濺射制備ITO薄膜，主要是利用直流(DC)電源在Ar濺射氣體和充分氧化Ar/O2混合氣體中產生等離子體，對In-Sn合金靶或In2O3，SnO2氧化物靶或陶瓷靶進行轟擊，以便在各種襯底上獲得ITO薄膜。在制備工藝條件如靶中錫含量、沉積速率、襯底溫度、濺射功率、及后續退火處理，都對ITO薄膜的光電特性有極大的影響；但是，現有的技術在玻璃襯底上低溫制備ITO薄膜光學性能差，薄膜氧化不完全，結構不完整；尤其在對不同種溫度條件下的ITO薄膜晶體結構和電阻，不能準確有效的調節控制溫度來控制電阻的均勻性，降低了ITO薄膜的產品質量，以及生產的工作效率，增加了生產成本，影響顯示器、及儀器的使用壽命；是本領域生產發展中的瓶頸，不能滿足用戶和市場的需求。

鑒于上述原因，現有的ITO薄膜加熱裝置及其方法需要創新。

實用新型內容

本實用新型的目的是為了克服現有技術中的不足，提供一種磁控濺射鍍膜真空室墻體溫控加熱裝置，加熱的結構及其方法簡單，設計科學合理，使用方便、操作容易快捷；確保在大型連續性生產氧化銦錫膜中，通過控制對磁控濺射磁懸浮車靶的各部位的加熱溫度，使ITO薄膜得到整版均勻性良好的電阻，明顯提高ITO薄膜的產品質量，大大提高工作效率，節約生產成本，延長使用壽命2倍以上，節能環保。

本實用新型為了實現上述目的，采用如下技術方案：一種磁控濺射鍍膜真空室墻體溫控加熱裝置，是由：墻體、長加熱模塊、長加熱模塊正極、長加熱模塊負極、短加熱模塊、短加熱模塊正極、短加熱模塊負極、矩形加熱模塊、正負極輸入輸出孔、定位器構成；墻體一側的中部設置長加熱模塊組，長加熱模塊組的上方設置短加熱模塊組，下方設置矩形加熱模塊組。

所述的長加熱模塊組由至少五塊長加熱模塊并列設置組成，每塊長加熱模塊上方中部設置長加熱模塊正極和長加熱模塊負極。

所述的短加熱模塊組由至少兩塊短加熱模塊并排設置組成，每塊短加熱模塊上方設置短加熱模塊正極和短加熱模塊負極。

所述的矩形加熱模塊組由至少兩塊矩形加熱模塊并排設置組成，每塊矩形加熱模塊的一側設置正負極輸入輸出孔，正負極輸入輸出孔內設置矩形加熱模塊正極和矩形加熱模塊負極。

所述的長加熱模塊、短加熱模塊、矩形加熱模塊均為U形加熱管內設置至少兩個S形加熱管構成。

所述的長加熱模塊、短加熱模塊、矩形加熱模塊均通過定位器與墻體固定。

本實用新型的有益效果是：在連續性真空磁控濺射鍍膜設備室內，長加熱模塊正極和長加熱模塊負極分別與電源的正負極連接，短加熱模塊正極和短加熱模塊負極分別與電源的正負極連接，矩形加熱模塊一側的正負極輸入輸出孔內的矩形加熱模塊正極和矩形加熱模塊負極分別與電源的正負極連接，墻體上的長加熱模塊、短加熱模塊和矩形加熱模塊通電后，電能轉換為熱能通過加熱管向外散熱，對懸浮運行中車體上安裝的ITO薄膜各部位進行加熱，可通過工控機控制長加熱模塊、短加熱模塊和矩形加熱模塊采用不同的加熱溫度，對懸浮運行中車體上ITO薄膜的不同部位采用不同的溫度進行加熱，車體通過連續性真空磁控濺射鍍膜設備室后，自然冷卻至常溫狀態，制得ITO薄膜成品的電阻率達到2×10-4Ω/cm，透過率達到90％以上。長加熱模塊、短加熱模塊和矩形加熱模塊的溫度調整范圍為50-400℃，根據ITO薄膜的不同規格，可對墻體上不同位置的長加熱模塊、短加熱模塊和矩形加熱模塊采用不同的加熱溫度，使ITO薄膜的加熱溫度一致。