[實用新型]一種熱沉絕緣的傳導冷卻型高功率半導體激光器

有效

• 申請號: 201420754417.2
• 申請日: 2014-12-05
• 公開（公告）號: CN204243452U
• 公開（公告）日: 2015-04-01
• 發明（設計）人: 劉興勝;李小寧;劉亞龍;王警衛;張路
• 申請（專利權）人: 西安炬光科技有限公司
• 主分類號: H01S5/024
• 分類號: H01S5/024;H01S5/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種熱沉絕緣的傳導冷卻型高功率半導體激光器，包括熱沉、激光芯片、正極連接片、負極連接片、絕緣板A、絕緣板B、絕緣墊層，其特征在于：絕緣板A、絕緣板B和絕緣墊層分別設置在熱沉的一個側面上，絕緣板A、絕緣板B分別設置在熱沉側面的兩端位置，所述的絕緣墊層設置在絕緣板A和絕緣板B相對應的中間位置；絕緣板A、絕緣板B和絕緣墊層三者本體為絕緣材料；所述的正極連接片設置在絕緣板A上，所述的負極連接片設置在絕緣板B上；所述的絕緣墊層表面鍍有導電金屬層；所述的絕緣墊層中與熱沉接觸面的相對表面上設置芯片設置區和電極連接區，所述的電極連接區與芯片設置區之間絕緣未設置導電金屬層，激光芯片設置在芯片設置區，芯片設置區通過金屬導線與正極連接片進行連接，電極連接區的一端通過金屬導線與激光芯片負極進行連接，另一端通過金屬導線與負極連接片進行連接。

2.?一種熱沉絕緣的傳導冷卻型高功率半導體激光器，包括熱沉、激光芯片、正極連接片、負極連接片、絕緣墊層，其特征在于：絕緣墊層設置在熱沉的一個側面上，表面鍍有導電金屬層，所述的絕緣墊層中與熱沉接觸面的相對表面上設置芯片設置區和電極連接區，所述的電極連接區與芯片設置區之間絕緣未設置導電金屬層，所述激光芯片設置在芯片設置區的一端，所述的正極連接片設置在芯片設置區的另一端，所述的負極連接片設置在電極連接區的一端，電極連接區的另一端通過金屬導線與激光芯片的負極進行連接。

3.??根據權利要求1所述的熱沉絕緣的傳導冷卻型高功率半導體激光器，其特征在于：所述的絕緣板A的材料為氧化鈹、氧化鋁、氮化鋁或者金剛石；絕緣板B的材料為氧化鈹、氧化鋁、氮化鋁或者金剛石；絕緣墊層的材料為氧化鈹、氧化鋁、氮化鋁或者金剛石。

4.?根據權利要求2所述的熱沉絕緣的傳導冷卻型高功率半導體激光器，其特征在于：絕緣墊層的材料為氧化鈹、氧化鋁、氮化鋁或者金剛石。

5.根據權利要求1或2所述的熱沉絕緣的傳導冷卻型高功率半導體激光器，其特征在于：所述的導電金屬層為金層。

6.根據權利要求1或2所述的熱沉絕緣的傳導冷卻型高功率半導體激光器，其特征在于：所述的金屬導線為金線。

7.根據權利要求1或2所述的熱沉絕緣的傳導冷卻型高功率半導體激光器，其特征在于：所述的熱沉的材料為銅、銅鎢或者銅-金剛石復合材料。

8.根據權利要求1或2所述的熱沉絕緣的傳導冷卻型高功率半導體激光器，其特征在于：所述的激光芯片為單發光單元激光芯片或多發光單元激光芯片。