[實用新型]一種雙面生長的GaAs四結太陽電池

有效

• 申請號: 201420746164.4
• 申請日: 2014-11-28
• 公開（公告）號: CN204315605U
• 公開（公告）日: 2015-05-06
• 發明（設計）人: 張小賓;王雷;陳丙振;潘旭;張露;張楊;楊翠柏
• 申請（專利權）人: 瑞德興陽新能源技術有限公司
• 主分類號: H01L31/0687
• 分類號: H01L31/0687;H01L31/0693
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 黃磊

1.一種雙面生長的GaAs四結太陽電池，包括有GaAs襯底，其特征在于：所述GaAs襯底為雙面拋光的n型GaAs單晶片；在所述GaAs襯底的上表面按照層狀疊加結構從上至下依次設置有GaInP子電池、GaAs子電池、GaInNAs子電池和GaAs緩沖層；在所述GaAs襯底的下表面按照層狀疊加結構從上至下依次設置有Ga_xIn_1-xP漸變層和Ga_xIn_1-xAs子電池；所述GaInP子電池與GaAs子電池之間通過第三隧道結連接，所述GaAs子電池與GaInNAs子電池之間通過第二隧道結連接，所述GaInNAs子電池與GaAs緩沖層之間通過第一隧道結連接。

2.根據權利要求1所述的一種雙面生長的GaAs四結太陽電池，其特征在于：所述GaInNAs子電池按照層狀結構從上至下依次包括有n型AlGaAs窗口層，n型Ga_1-xIn_xN_yAs_1-y層或n型GaAs層，p型Ga_1-xIn_xN_yAs_1-y層，p型AlGaAs背場層；其中x:y＝2.8:1，0.02<y<0.03，Ga_1-xIn_xN_yAs_1-y材料帶隙為1.0eV—1.1eV。

3.根據權利要求1所述的一種雙面生長的GaAs四結太陽電池，其特征在于：所述Ga_xIn_1-xAs子電池按照層狀結構從上至下依次包括有n型AlGaAs窗口層，n型Ga_xIn_1-xAs層或n型GaAs層，p型Ga_xIn_1-xAs層，p型AlGaAs背場層；其中0.4<x<0.5，材料帶隙為0.7eV—0.8eV。