[實(shí)用新型]一種含量子結(jié)構(gòu)的雙面生長(zhǎng)四結(jié)太陽(yáng)電池

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420746141.3
• 申請(qǐng)日: 2014-11-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN204315612U
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-05-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張小賓;陳丙振;楊翠柏
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 瑞德興陽(yáng)新能源技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/078
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/078;H01L31/0352
• 代理公司: 廣州市華學(xué)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245
• 代理人: 黃磊

1.一種含量子結(jié)構(gòu)的雙面生長(zhǎng)四結(jié)太陽(yáng)電池，包括有GaAs襯底，其特征在于：所述GaAs襯底為雙面拋光的n型GaAs單晶片；在所述GaAs襯底的上表面按照層狀疊加結(jié)構(gòu)從上至下依次設(shè)置有GaInP子電池、GaAs子電池和第一GaAs緩沖層；在所述GaAs襯底的下表面按照層狀疊加結(jié)構(gòu)從上至下依次設(shè)置有第二GaAs緩沖層、第一量子點(diǎn)子電池和第二量子點(diǎn)子電池；所述GaInP子電池和GaAs子電池之間通過(guò)第三隧道結(jié)連接，所述GaAs子電池與第一GaAs緩沖層之間通過(guò)第二隧道結(jié)連接，所述第一量子點(diǎn)子電池與第二量子點(diǎn)子電池之間通過(guò)第一隧道結(jié)連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含量子結(jié)構(gòu)的雙面生長(zhǎng)四結(jié)太陽(yáng)電池，其特征在于：所述第一量子點(diǎn)子電池為p-i-n結(jié)構(gòu)的InGaAs/GaAs量子點(diǎn)太陽(yáng)電池，從上至下依次包括有n型AlGaAs窗口層、n型GaAs層、非摻雜的In_xGa_1-xAs/GaAs量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)層、p型GaAs層、p型AlGaAs背場(chǎng)層；其中0.4<x<1.0，In_xGa_1-xAs/GaAs量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)層光學(xué)帶隙為1.0eV—1.1eV。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含量子結(jié)構(gòu)的雙面生長(zhǎng)四結(jié)太陽(yáng)電池，其特征在于：所述第二量子點(diǎn)子電池為p-i-n結(jié)構(gòu)的InGaAs/GaAs量子點(diǎn)太陽(yáng)電池，從上至下依次包括有n型AlGaAs窗口層、n型GaAs層、非摻雜的In_xGa_1-xAs/GaAs量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)層、p型GaAs層、p型AlGaAs背場(chǎng)層；其中0.7<x<1.0，In_xGa_1-xAs/GaAs量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)層光學(xué)帶隙為0.6eV—0.8eV。