[實用新型]可控鐵芯電抗器

有效

• 申請號: 201420743535.3
• 申請日: 2014-12-01
• 公開（公告）號: CN204189596U
• 公開（公告）日: 2015-03-04
• 發明（設計）人: 曾強;歐郁強;蔡德華;王利國;李豪天;徐平;趙永發;謝善益;翟瑞聰;余棟斌;吳春雷;馮劉凱
• 申請（專利權）人: 廣東電網有限責任公司江門供電局;廣東電網有限責任公司電力科學研究院;上海華立軟件系統有限公司
• 主分類號: H01F29/08
• 分類號: H01F29/08;H01F27/30
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 王程

技術領域

本實用新型涉及鐵芯電抗器技術領域，特別是涉及一種可控鐵芯電抗器。

背景技術

可控鐵芯電抗器是在磁放大器的基礎上發展而來。隨著高磁感應強度及低損耗的晶粒取向鋼帶和高磁導率、高矩形系數的坡莫合金材料的出現，磁放大器以及飽和電抗器的理論及應用達到一個新水平，并且已引入到電力系統。普通磁飽和電抗器的主要缺點是：控制直流的改變會導致結成三角形線圈內部電流的變化，過渡過程時間取決于三角形線圈時間常數，其數值較大，使響應時間變慢，不能較好的進行快速調節；另外就是有效材料消耗(3.0kg/kVA)和有功損耗(1.0％)較大，一般不可控的鐵芯電抗器的有效材料消耗及有功損耗分別只有0.8kg/kVA和0.5％。由于這些缺點使傳統的可控鐵芯電抗器的推廣應用受到了限制。俄羅斯曾提出可控鐵芯電抗器“磁閥”的概念，并隨后實現了繞組(工作繞組、控制繞組、補償繞組)布置的全新結構設計與樣品研制，使可控鐵芯電抗器的發展有了一定的進展。但這種電抗器的缺點是：為保證只有較小截面的磁閥段始終處于飽和，而其余部分不飽和，勢必要增加其余部分鐵芯截面的面積，使電抗器的有效材料用量增多，成本較高，且損耗增加、噪音增大。在此基礎上，又提出了一種磁控式可控鐵芯電抗器的概念，通過全磁路的飽和來達到電抗器容量可控的目的，但在實際應用中，我們發現磁閥式和磁控式電抗器其可控硅電位高，成本較高，而且響應時間較長。

綜上所述，現有的可控鐵芯電抗器成本較高，而且響應時間較長。

實用新型內容

基于此，有必要針對現有的可控鐵芯電抗器成本較高，而且響應時間較長的問題，提供一種可控鐵芯電抗器。

一種可控鐵芯電抗器，包括鐵芯柱、第一繞組、調節裝置；

所述第一繞組繞在所述鐵芯柱上，所述調節裝置連接所述鐵芯柱；所述第一繞組連接被保護裝置，所述調節裝置用于調節電抗器的電抗容量；

所述調節裝置包括第二繞組和可調負載；所述第二繞組的兩個線端分別連接所述可調負載的兩端；所述第二繞組繞在所述鐵芯柱上；所述可調負載包括：電抗負載或功率器件。

上述可控鐵芯電抗器，調節裝置包括第二繞組和可調負載，成本較低，而且在可控鐵芯電抗器運作時，通過調節調節裝置的可調負載，從而可以調節控制電抗器容量，加快響應速率，具有較短的響應時間。

附圖說明

圖1為可控鐵芯電抗器第一個實施例結構示意圖；

圖2為可控鐵芯電抗器第二個實施例結構示意圖；

圖3為可控鐵芯電抗器第三個實施例結構示意圖；

圖4為可控鐵芯電抗器第四個實施例結構示意圖；

圖5為可控鐵芯電抗器第五個實施例結構示意圖；

圖6為可控鐵芯電抗器第六個實施例結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新型可控鐵芯電抗器的具體實施方式作詳細描述。

一種可控鐵芯電抗器，包括鐵芯柱10、第一繞組20、調節裝置30；

所述第一繞組20繞在所述鐵芯柱10上，所述調節裝置30貼合連接所述鐵芯柱10；所述第一繞組20連接被保護裝置，所述調節裝置30用于調節電抗器的電抗容量；

所述調節裝置30包括第二繞組31和可調負載32；所述第二繞組31兩個線端分別連接所述可調負載30兩端；所述第二繞組31繞在所述鐵芯柱10上；所述可調負載32包括：電抗負載或功率器件。

上述可控鐵芯電抗器，所述第二繞組31一般是指低壓繞組，所述被保護裝置是指在發生短路時，電抗器進行保護的對象，調節裝置30包括第二繞組31和可調負載32，成本較低，而且在可控鐵芯電抗器運作時，通過調節可調負載32，從而可以調節控制電抗容量，加快響應速率，具有較短的響應時間。

在一實施例中，所述電抗負載包括感性負載或容性負載。

感性負載指帶有電感參數的負載，容性負載指帶有電容參數的負載。

進一步的，在一實施例中，所述感性負載可以為可控電抗器；所述可控電抗器可以包括：磁控式可控電抗器、磁閥式可控電抗器或直流偏磁式可控電抗器。

在一實施例中，所述容性負載可以為投切電容器，所述投切電容器包括依次連接的電容器投切開關和電容器；所述電容器投切開關連接所述第二繞組。

通過投切電容器進行分級調節調節控制電抗容量，在成本較低的同時也縮短了響應時間，響應時間可以達到毫秒級。

在一實施例中，所述功率器件可以為雙向可控硅。