[實用新型]并聯型諧振逆變器用IGBT驅動電路有效
| 申請號: | 201420742929.7 | 申請日: | 2014-12-02 |
| 公開(公告)號: | CN204205926U | 公開(公告)日: | 2015-03-11 |
| 發明(設計)人: | 甄幸祿;李亞斌;齊濤;柴艷鵬;劉永飛 | 申請(專利權)人: | 保定四方三伊電氣有限公司 |
| 主分類號: | H02M1/08 | 分類號: | H02M1/08;H02M1/32 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 071000 河北省*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 并聯 諧振 逆變器 igbt 驅動 電路 | ||
技術領域
本實用新型涉及電力電子技術領域,特別涉及一種并聯型諧振逆變器用IGBT驅動電路。
背景技術
并聯型諧振逆變器屬于電流型逆變器,其能量由大電感提供,相當于電流源,在其發生故障時,短路過流保護比較容易,但電壓過壓保護比較困難。由于電流源不可以開路運行,所有驅動器在任何狀態下逆變控制脈沖都不可以關斷。目前市場上無論是智能型集成IGBT驅動器,還是IGBT驅動芯片,其都為電壓型逆變器設計,具有過流保護功能,且在驅動器檢測到故障時可封鎖脈沖,但其功能無法在電流型逆變器中使用。并聯型諧振逆變器在實際工作中,容易出現角度異?;蛘哓撦d開路,由于主回路存在引線電感,從而會造成IGBT兩端產生電壓尖峰,使IGBT過壓失效。而現有并聯型逆變器大多將過壓保護環節置于主回路側,即利用對直流母線過壓的檢測來保護IGBT功率器件,這種保護快速性和準確性均難以保證,對于IGBT過壓保護效果有限。
實用新型內容
有鑒于此,本實用新型旨在提出一種并聯型諧振逆變器用IGBT驅動電路,可以防止IGBT器件因過壓而失效,使電路保護功能完善。
為達到上述目的,本實用新型的技術方案是這樣實現的:
一種并聯型諧振逆變器用IGBT驅動電路,其包括依次串接于IGBT的信號輸入端與其門極之間的的信號隔離單元、脈沖整形單元、推挽放大電路和限流電阻Rg,以及連接于IGBT的集電極和門極之間的有源鉗位電路,還包括連?接于所述推挽放大電路上的隔離電源。
進一步的,所述的有源鉗位電路包括依次串接于IGBT的集電極與門極之間的瞬變電壓抑制二極管D1、二極管D2以及限流電阻Rs。
進一步的,所述的推挽電路在無信號輸入時輸出為高電平狀態。
進一步的,所述的信號隔離單元為光耦隔離模塊。
進一步的,還包括連接于所述隔離電源輸出端上的電源欠壓保護模塊。
相對于現有技術,本實用新型具有以下優勢:
本并聯型諧振逆變器用IGBT驅動電路,通過信號隔離單元、脈沖整形單元可保證驅動電路驅動信號的可靠性,通過連接于IGBT集電極和其門極之間的有源鉗位電路,可在IGBT兩端出現電壓尖峰時有效的防止IGBT因電壓過高而被擊穿,從而有效保證了IGBT器件。隔離單元采用光耦隔離模塊實現輸入信號的有效隔離,以保證電路安全。設置電源欠壓保護模塊可使驅動電路的功能更加完善。
附圖說明
構成本實用新型的一部分的附圖用來提供對本實用新型的進一步理解,本實用新型的示意性實施例及其說明用于解釋本實用新型,并不構成對本實用新型的不當限定。在附圖中:
圖1為本實用新型實施例所述的并聯型諧振逆變器用IGBT驅動電路的結構框圖;
圖2為本實用新型實施例所述的并聯型諧振逆變器用IGBT驅動電路的電路原理圖;
具體實施方式
需要說明的是,在不沖突的情況下,本實用新型中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。
下面將參考附圖并結合實施例來詳細說明本實用新型。
本實施例涉及一種并聯型諧振逆變器用IGBT驅動電路,如圖1和圖2中所示,其包括依次串接于IGBT的信號輸入端與其門極之間的的信號隔離單元、脈沖整形單元、推挽放大電路和限流電阻Rg,以及連接于IGBT的集電極和門極之間的有源鉗位電路,還包括連接于推挽放大電路上的隔離電源。
本實施例中信號隔離單元可為采用光耦隔離模塊TLP250對輸入信號進行隔離,其最高工作頻率為50kHz。脈沖整形單元可實現對信號的整形處理,推挽放大電路用于輸入信號的功率放大,以有效地驅動IGBT器件。本實施例中推挽放大電路上的電源采用隔離電源可有效保證電路的可靠性,并且為進一步保證驅動電路的使用性,還可在隔離電源的輸出端上連接設置一圖中未示出的電源欠壓保護模塊,該欠壓保護模塊可采用現有的常規欠壓保護電路。
本實施例中的有源鉗位電路包括依次串接于IGBT的集電極與門極之間的瞬變電壓抑制二極管D1、二極管D2以及限流電阻Rs。當逆變器工作角度異?;蜉敵龆顺霈F開路時,由于電流型逆變器的直流輸出端存在大電感,電感上貯存的能量會無通路釋放,此時逆變功率器件IGBT的兩端會瞬時出現過電壓。當IGBT集電極電壓升高時,有源鉗位電路的瞬變電壓抑制二極管D1被擊穿,擊穿電流通過電阻Rs流入IGBT的門極,門極電壓抬升,從而使得IGBT的集電極電壓降低,減小了電壓尖峰,有效地防止IGBT因過壓失效。
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H02M1-08 .為靜態變換器中的半導體器件產生控制電壓的專用電路
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