[實用新型]LED結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420739438.7
• 申請日: 2014-11-28
• 公開（公告）號: CN204216044U
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 丁海生;馬新剛;李東昇;李芳芳;江忠永
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州士蘭明芯科技有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/38
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

藍(lán)寶石襯底；

形成于所述藍(lán)寶石襯底上的發(fā)光半導(dǎo)體層；

形成于所述發(fā)光半導(dǎo)體層中的若干高阻態(tài)離子注入層，所述若干高阻態(tài)離子注入層將所述發(fā)光半導(dǎo)體層分割成若干絕緣分離的獨立發(fā)光半導(dǎo)體層，每個獨立發(fā)光半導(dǎo)體層均包括依次層疊的N型半導(dǎo)體層、有源層和P型半導(dǎo)體層；

若干貫穿所述P型半導(dǎo)體層、有源層和至少部分N型半導(dǎo)體層的凹槽，每個所述凹槽暴露一高阻態(tài)離子注入層的一側(cè)壁；

形成于所述每個獨立發(fā)光半導(dǎo)體層的P型半導(dǎo)體層上的第一電極以及形成于所述每個獨立發(fā)光半導(dǎo)體層的凹槽中的第二電極，部分相鄰的獨立發(fā)光半導(dǎo)體層上的第二電極和第一電極電連接，形成串聯(lián)結(jié)構(gòu)；以及

形成于所述發(fā)光半導(dǎo)體層所有暴露的表面上的鈍化保護(hù)層，所述鈍化保護(hù)層具有暴露所述串聯(lián)結(jié)構(gòu)中為首的獨立發(fā)光半導(dǎo)體層上的第一電極和為尾的獨立發(fā)光半導(dǎo)體層上的第二電極的引線孔。

2.如權(quán)利要求1所述的LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括形成于所述P型半導(dǎo)體層的部分區(qū)域上的阻擋層。

3.如權(quán)利要求2所述的LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括形成于所述P型半導(dǎo)體層和阻擋層上的接觸層。

4.如權(quán)利要求3所述的LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述阻擋層的材料為二氧化硅，所述接觸層的材料為ITO。