[實用新型]功率MOSFET

有效

• 申請號: 201420736131.1
• 申請日: 2014-11-28
• 公開（公告）號: CN204257661U
• 公開（公告）日: 2015-04-08
• 發明（設計）人: 廖奇泊;陳俊峰;古一夫
• 申請（專利權）人: 上海芯亮電子科技有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236
• 代理人: 郭國中

技術領域

本實用新型涉及一種MOSFET，具體地，涉及一種功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor?Field-Effect?Transistor，金屬-氧化層半導體場效晶體管，簡稱“金氧半場效晶體管”)。

背景技術

功率MOSFET中組件的耐壓能力主要受組件單元(device?cell)到芯片邊界(chip?boundary)的結構所影響，目前常見的做法為增加多重終止環(multiple?termination?rings)及場電極(filed?plate)的結構，但是這樣的架構對突波的或瞬時脈沖對組件所可能引起的傷害則未能完全消除。

實用新型內容

針對現有技術中的缺陷，本實用新型的目的是提供一種功率MOSFET，其能完全消除突波的或瞬時脈沖對組件所可能引起的傷害。

根據本實用新型的一個方面，提供一種功率MOSFET，其特征在于，包括襯底、多重終止環、浮接多晶硅環、芯片邊界、高溫熱氧化層，多重終止環位于襯底和高溫熱氧化層之間，浮接多晶硅環位于高溫熱氧化層上，芯片邊界位于襯底的側面。

優選地，所述高溫熱氧化層包括凸起部分和凹陷部分，浮接多晶硅環位于凸起部分上，多重終止環位于凹陷部分的下方。

優選地，所述襯底的厚度大于高溫熱氧化層的厚度。

與現有技術相比，本實用新型具有如下的有益效果：本實用新型功率MOSFET能完全消除突波的或瞬時脈沖對組件所可能引起的傷害，即能夠提供組件對突波或瞬時脈沖更佳的防護能力，結構簡單，不需額外的光罩等，成本低。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細描述，本實用新型的其它特征、目的和優點將會變得更明顯：

圖1為本實用新型功率MOSFET的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合具體實施例對本實用新型進行詳細說明。以下實施例將有助于本領域的技術人員進一步理解本實用新型，但不以任何形式限制本實用新型。應當指出的是，對本領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型構思的前提下，還可以做出若干變形和改進。這些都屬于本實用新型的保護范圍。

如圖1所示，本實用新型功率MOSFET包括襯底1、多重終止環2、浮接多晶硅環(floating?poly?ring)3、芯片邊界4、高溫熱氧化層，多重終止環2位于襯底1和高溫熱氧化層之間，浮接多晶硅環3位于高溫熱氧化層上，芯片邊界4位于襯底1的側面。襯底1的材料為硅。

高溫熱氧化層包括凸起部分51和凹陷部分52，具體來說，浮接多晶硅環3位于凸起部分51上，多重終止環2位于凹陷部分52的下方，這樣方便區分和制造。

襯底1的厚度可以大于高溫熱氧化層的厚度，這樣節約材料，降低成本。

本實用新型功率MOSFET通過多重終止環和浮接多晶硅環完全消除突波的或瞬時脈沖對組件所可能引起的傷害，即能夠提供組件對突波或瞬時脈沖更佳的防護能力，結構簡單，不需額外的光罩等，成本低。

以上對本實用新型的具體實施例進行了描述。需要理解的是，本實用新型并不局限于上述特定實施方式，本領域技術人員可以在權利要求的范圍內做出各種變形或修改，這并不影響本實用新型的實質內容。