[實用新型]功率元件

有效

• 申請號: 201420736122.2
• 申請日: 2014-11-28
• 公開（公告）號: CN204257623U
• 公開（公告）日: 2015-04-08
• 發明（設計）人: 廖奇泊;陳俊峰;周雯
• 申請（專利權）人: 上海芯亮電子科技有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236
• 代理人: 郭國中

1.一種功率元件，其特征在于，包括氧化層、多晶硅柵層、絕緣層、金屬層、第一護層、第二護層、P型阱、N+摻雜層、P+摻雜層、襯底、凹槽，P型阱位于襯底的上方，氧化層、多晶硅柵層、N+摻雜層、P+摻雜層都位于絕緣層和P型阱之間，第一護層位于金屬層和第二護層之間，凹槽穿過第一護層、第二護層后延伸到金屬層中。

2.根據權利要求1所述的功率元件，其特征在于，所述襯底的材料為硅。

3.根據權利要求1所述的功率元件，其特征在于，所述金屬層的材料是鋁。

4.根據權利要求1所述的功率元件，其特征在于，所述第一護層的材料為非晶硅。

5.根據權利要求1所述的功率元件，其特征在于，所述第二護層的材料為氮化硅或氮氧化硅。

6.根據權利要求1所述的功率元件，其特征在于，所述襯底的厚度大于P型阱的厚度。