[實用新型]一種垂直LED結構有效
| 申請號： | 201420735517.0 | 申請日： | 2014-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN204216063U | 公開（公告）日： | 2015-03-18 |
| 發明（設計）人： | 張昊翔;丁海生;李東昇;江忠永 | 申請（專利權）人： | 杭州士蘭明芯科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 垂直 led 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種垂直LED結構，其特征在于，包括：
獨立發光半導體層，所述獨立發光半導體層包括依次層疊的N型半導體層、有源層和P型半導體層；
形成于獨立發光半導體層側壁的高阻態離子注入層；
形成于所述P型半導體層上的獨立接觸層；
形成于所述獨立接觸層上的網狀結構的DBR反射層；
形成于所述網狀結構的DBR反射層及網狀結構的DBR反射層暴露出來的獨立接觸層上的獨立金屬功能層；
與所述獨立金屬功能層組合在一起的基板，所述基板包括導電基板、形成于所述導電基板側壁的隔離固定板以及形成于導電基板上的第一焊盤；以及
形成于所述N型半導體層上的第二焊盤。
2.如權利要求1所述的垂直LED結構，其特征在于，所述獨立接觸層的材料為ITO。
3.如權利要求1所述的垂直LED結構，其特征在于，所述獨立金屬功能層包括金屬接觸層、金屬阻障層和金屬電極層，所述金屬接觸層的材料為鉻或鎳，所述金屬阻障層的材料為鈦或鎳，所述金屬電極層的材料為鋁。
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