[實用新型]一種載盤組件有效
| 申請號: | 201420735359.9 | 申請日: | 2014-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN204315540U | 公開(公告)日: | 2015-05-06 |
| 發明(設計)人: | 黃宏義 | 申請(專利權)人: | 寬輔科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;黃燦 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 組件 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種載盤組件,特別涉及一種能改善背側導熱(熱傳)氣體均勻分布的載盤組件。
背景技術
常用的基板處理設備包括載盤組件,而載盤組件具有固持基板的用途。然而,載盤組件的主體的上表面及下表面通常皆為平滑表面,此種平滑表面具有0.3um~0.5um的表面粗糙度(Ra),位于載盤組件附近的背側導熱氣體會因為機械加工刀紋與此種平滑表面,在偶發的搭配情況下,造成背側導熱氣體積聚在基板下,不易與主體下方或其他區域的氣體置換,進而使基板的溫度越來越高,如此可能會對基板上的處理造成不利的影響。
再者,背側導熱氣體可能只會積聚在某一特定區域,而導致基板處理設備的處理均勻性下降。具體而言,例如當背側導熱氣體只積聚在某一特定區域時,載盤組件上的各個基板可能會因此而具有不同的溫度,進而導致各個基板所需的處理時間不同而影響整體的生產良率。甚至,此種積聚現象有時也會在同一個基板上造成不均勻的溫度分布。
實用新型內容
為了解決上述技術問題,本實用新型提供了一種載盤組件,可有效地改善背側導熱氣體均勻分布,以提高產品的良率。
依據本實用新型的一個方面,提供了一種載盤組件,用以承載基板,該載盤組件包括:一主體,設置成板狀并具有一上表面及一下表面,其中該上表面經過表面粗化處理以具有1.0um~5.0um的表面粗糙度并且設有一或多個基板承載區域,該基板承載區域用以容置基板并且設置有第一氣體通孔,該第一氣體通孔穿透主體,以及,其中在未設置基板承載區域的上表面,設置有第二氣體通孔,該第二氣體通孔穿透主體;一頂蓋,用以覆蓋主體的上表面以及主體的側邊,該頂蓋具有一或多個穿孔,其中一或多個穿孔是分別對應一或多個基板承載區域,以露出容置在基板承載區域上的基板;以及一密封環,設置在基板承載區域的周圍,并用以在頂蓋與主體之間形成獨立空間,以及在基板與主體之間形成獨立空間。
可選地,頂蓋具有朝穿孔的中心延伸的一或多個突出部,該突出部用以局限容置在基板承載區域上的基板,藉以防止基板脫離基板承載區域。
可選地,形成在基板與主體之間的獨立空間是與第一氣體通孔連通的。
可選地,形成在頂蓋與主體之間的獨立空間是與第二氣體通孔連通。
可選地,頂蓋與主體的側邊共同構成一氣體通道。
可選地,主體的下表面經過表面粗化處理以具有1.0um~5.0um的表面粗糙度。
可選地,主體的側邊經過表面粗化處理以具有1.0um~5.0um的表面粗糙度。
本實用新型的實施例的有益效果是:一種載盤組件,透過將載盤組件的主體設置成具有非平滑表面,以使背側導熱氣體可以更均勻分布于載盤組件中,進而使載盤組件的內部維持均一的壓力及溫度,以防止載盤組件上的基板受到不均勻壓力或不均勻溫度的影響而造成良率不佳的問題。
附圖說明
圖1表示本實用新型的載盤組件的示意圖;
圖2表示本實用新型的載盤組件的組合圖。
其中:100、載盤組件,110、主體,112、上表面,112a、基板承載區域,114、下表面,116、側邊,120、頂蓋,122、穿孔,122a、突出部,130、密封環,A:第一氣體通孔,B:第二氣體通孔,C、氣體通道。
具體實施方式
下面將參照附圖更詳細地描述本實用新型的示例性實施例。雖然附圖中顯示了本實用新型的示例性實施例,然而應當理解,可以以各種形式實現本實用新型而不應被這里闡述的實施例所限制。相反,提供這些實施例是為了能夠更透徹地理解本實用新型,并且能夠將本實用新型的范圍完整的傳達給本領域的技術人員。
實施例
圖1顯示依照本實用新型實施例的載盤組件100的示意圖,圖2概略顯示圖1的載盤組件100的組合圖。同時參考圖1及圖2,載盤組件100是用以承載一或多個待處理的基板。載盤組件100包含主體110、頂蓋120以及密封環130。主體110可例如設置成具有板狀結構。密封環130的材質可例如為橡膠、硅膠等等,但不以此為限
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





