[實(shí)用新型]PECVD裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420731515.4 | 申請日: | 2014-11-26 |
| 公開(公告)號: | CN204211823U | 公開(公告)日: | 2015-03-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳五奎;李軍;徐文州;陳磊;馮加保 | 申請(專利權(quán))人: | 樂山新天源太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/513 | 分類號: | C23C16/513 |
| 代理公司: | 成都宏順專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51227 | 代理人: | 李玉興 |
| 地址: | 614000 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | pecvd 裝置 | ||
1.PECVD裝置,包括設(shè)置有爐門(1)的真空沉積室(2),真空沉積室(2)內(nèi)設(shè)有石墨舟(3),硅片放置于石墨舟(3)上,真空沉積室(2)上設(shè)有進(jìn)氣口(4)與排氣口(5),所述進(jìn)氣口(4)上連接有用于通入制程氣體的進(jìn)氣管(6),所述排氣口(5)上連接有排放管(8),排放管(8)末端連接有真空泵(9),真空泵(9)的進(jìn)口與排放管(8)的出口相連,真空泵(9)的出口連接有尾排管(10),所述真空沉積室(2)上設(shè)置有用于打開或關(guān)閉爐門(1)的開關(guān)裝置(11),其特征在于:所述開關(guān)裝置(11)包括底座(110),所述底座(110)的上表面設(shè)置有可移動(dòng)平臺(111)以及用于驅(qū)動(dòng)可移動(dòng)平臺(111)沿水平方向移動(dòng)的第一驅(qū)動(dòng)裝置(112)且可移動(dòng)平臺(111)的移動(dòng)方向與真空沉積室(2)軸向方向互相垂直,所述可移動(dòng)平臺(111)的上表面設(shè)置有可移動(dòng)式支架(113)以及用于推動(dòng)可移動(dòng)式支架(113)沿真空沉積室(2)軸向方向移動(dòng)的第二驅(qū)動(dòng)裝置(114),所述可移動(dòng)式支架(113)上固定有支撐桿(115),所述支撐桿(115)的上端固定在爐門(1)上。
2.如權(quán)利要求1所述的PECVD裝置,其特征在于:所述第一驅(qū)動(dòng)裝置(112)、第二驅(qū)動(dòng)裝置(114)均為氣缸。
3.如權(quán)利要求2所述的PECVD裝置,其特征在于:所述進(jìn)氣管(6)與進(jìn)氣口(4)之間設(shè)置有氣體混合裝置(12),所述氣體混合裝置(12)包括芯體(121)、殼體(122),芯體(121)設(shè)置在殼體(122)內(nèi),芯體(121)表面開有螺旋槽(123),所述螺旋槽(123)的內(nèi)壁與殼體(122)的內(nèi)壁圍成封閉的螺旋式氣體通道,所述螺旋式氣體通道的一端與進(jìn)氣管(6)相連,另一端與真空沉積室(2)上設(shè)置有的進(jìn)氣口(4)相連,所述殼體(122)的外表面設(shè)置有加熱裝置。
4.如權(quán)利要求3所述的PECVD裝置,其特征在于:所述加熱裝置包括一層加熱棉(124)與一層絕熱布(125),所述加熱棉(124)與絕熱布(125)之間設(shè)置有加熱電阻絲(126),所述加熱電阻絲(126)與電源相連。
5.如權(quán)利要求4所述的PECVD裝置,其特征在于:所述真空泵(9)的出口與尾排管(10)之間設(shè)置有硅烷燃燒室(13)。
6.如權(quán)利要求5所述的PECVD裝置,其特征在于:在真空泵(9)的出口與尾排管(10)之間設(shè)置一個(gè)內(nèi)徑為150mm-300mm不銹鋼圓筒形成所述的硅烷燃燒室(13)。
7.如權(quán)利要求6所述的PECVD裝置,其特征在于:所述圓筒的外表面設(shè)置有多個(gè)緊固圈,相鄰的緊固圈之間通過金屬條連接在一起。
8.如權(quán)利要求7所述的PECVD裝置,其特征在于:所述真空泵(9)的進(jìn)口與排氣口(5)之間設(shè)置有旁路管(14),所述旁路管(14)上設(shè)置有用于使旁路管(14)導(dǎo)通或關(guān)閉的旁通閥(15),所述排放管(8)上設(shè)置有用于使排放管(8)導(dǎo)通或關(guān)閉的工藝閥(16),所述排放管(8)的內(nèi)徑為50mm-70mm,所述旁路管(14)的內(nèi)徑為15mm-25mm。
9.如權(quán)利要求8所述的PECVD裝置,其特征在于:所述排放管(8)的內(nèi)徑為60mm,所述旁路管(14)的內(nèi)徑為20mm。
10.如權(quán)利要求9所述的PECVD裝置,其特征在于:所述工藝閥(16)、旁通閥(15)均為電磁閥,所述工藝閥(16)上連接有第一觸發(fā)式開關(guān)(17),所述旁通閥(15)上連接有第二觸發(fā)式開關(guān)(18),所述真空沉積室(2)內(nèi)設(shè)置有真空計(jì)(19),還包括控制器(20),所述第一觸發(fā)式開關(guān)(17)、第二觸發(fā)式開關(guān)(18)、真空計(jì)(19)分別與控制器(20)電連接。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的





