[實(shí)用新型]半導(dǎo)體加工設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420720817.1
• 申請(qǐng)日: 2014-11-25
• 公開（公告）號(hào): CN204407297U
• 公開（公告）日: 2015-06-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天津市信拓電子科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及的是一種ICP裝置，具體涉及一種半導(dǎo)體加工設(shè)備。

背景技術(shù)

感應(yīng)耦合等離子體刻蝕系統(tǒng)是半導(dǎo)體制造中干法刻蝕的關(guān)鍵工藝設(shè)備。RIE，全稱是Reactive?Ion?Etching，反應(yīng)離子刻蝕，一種微電子干法腐蝕工藝。是干蝕刻的一種，這種蝕刻的原理是，當(dāng)在平板電極之間施加10～100MHz的高頻電壓(RF，radio?frequency)時(shí)會(huì)產(chǎn)生數(shù)百微米厚的離子層(ion?sheath)，在其中放入試樣，離子高速撞擊試樣而完成化學(xué)反應(yīng)蝕刻，此即為RIE。傳統(tǒng)的RIE設(shè)備存在刻蝕速率、選擇比、均勻性都低的問題，大大降低了企業(yè)生產(chǎn)效率。

實(shí)用新型內(nèi)容

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)上存在的不足，本實(shí)用新型目的是在于提供一種半導(dǎo)體加工設(shè)備,結(jié)構(gòu)簡單，采用雙射頻電源，實(shí)現(xiàn)了離子濃度和離子轟擊強(qiáng)度分開控制，使刻蝕速率、選擇比、均勻性都得到提高。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型是通過如下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)：半導(dǎo)體加工設(shè)備,包括氣體入口、反應(yīng)腔、靜電屏蔽裝置、RF線圈、基片和溫度控制器，反應(yīng)腔頂部設(shè)置有氣體入口，反應(yīng)腔內(nèi)設(shè)置有靜電屏蔽裝置，靜電屏蔽裝置上繞有RF線圈，靜電屏蔽裝置與RF電源連接形成電磁場，電磁場下方設(shè)置有基片，基片設(shè)置在溫度控制器上，溫度控制器接分子泵。

作為優(yōu)選，所述的RF線圈為螺旋線圈。

本實(shí)用新型,結(jié)構(gòu)簡單，采用雙射頻電源，實(shí)現(xiàn)了離子濃度和離子轟擊強(qiáng)度分開控制，使刻蝕速率、選擇比、均勻性都得到提高。

附圖說明

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式來詳細(xì)說明本實(shí)用新型；

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體實(shí)施方式，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。

參照?qǐng)D1，本具體實(shí)施方式采用以下技術(shù)方案：半導(dǎo)體加工設(shè)備,包括氣體入口1、反應(yīng)腔2、靜電屏蔽裝置3、RF線圈4、基片5和溫度控制器6，反應(yīng)腔2頂部設(shè)置有氣體入口1，反應(yīng)腔2內(nèi)設(shè)置有靜電屏蔽裝置3，靜電屏蔽裝置3上繞有RF線圈4，靜電屏蔽裝置3與RF電源連接形成電磁場，電磁場下方設(shè)置有基片5，基片5設(shè)置在溫度控制器6上，溫度控制器6接分子泵。

值得注意的是，所述的RF線圈4為螺旋線圈。?

本具體實(shí)施方式采用了雙射頻電源，其中一個(gè)射頻電源通過螺旋線圈控制高密度等離子體的產(chǎn)生。另一射頻電源施加偏置電場控制等離子體轟擊能量。實(shí)現(xiàn)了離子濃度和離子轟擊強(qiáng)度分開控制，使刻蝕速率、選擇比、均勻性都得到提高。

本具體實(shí)施方式的ICP反應(yīng)腔體主要由溫度控制、氣路控制、射頻電源和真空控制系統(tǒng)四部分組成。刻蝕氣體由反應(yīng)腔上方引入，其流量由氣路系統(tǒng)通過質(zhì)量流量計(jì)控制。兩套射頻源各盡其能。真空控制系統(tǒng)自動(dòng)控制和保?持反應(yīng)腔的工作壓力，及時(shí)將刻蝕生成物從硅片兩邊由渦輪分子泵抽走。溫度控制(He背冷)系統(tǒng)可使基片的溫度滿足不同的刻蝕需要。

以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理和主要特征和本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下，本實(shí)用新型還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)。本實(shí)用新型要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。