技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種具有高階補償?shù)幕鶞孰妷涸础?/p>

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體工藝的進步和電子市場越來越苛刻的要求,對于ADC、LDO、開關(guān)電源以及溫度傳感器的精度要求越來越高，而它們的精度都取決于基準電壓源的精度，因為基準電壓源不僅提供基準電壓，還要提供偏置電流。傳統(tǒng)的一階補償?shù)幕鶞孰妷涸吹木入m然較高，但已經(jīng)不能滿足市場對于精度的要求，同時現(xiàn)有的一些高階補償電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜，使得芯片成本增加。

發(fā)明內(nèi)容

針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實用新型在于提供一種一種電路結(jié)構(gòu)簡單，用于芯片制造時成本低的具有高階補償?shù)幕鶞孰妷涸础?/p>

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型通過下述技術(shù)方案予以實現(xiàn)?：

一種具有高階補償?shù)幕鶞孰妷涸矗?個P型MOS管、3個NPN型三極管、8個電阻、1個電容、1個運算放大器、1個電流漏，其特征在于，其電路連接方式為：

第零P型MOS管MP0的漏極、第零P型MOS管MP0的柵極、電流漏I的輸入端、第一P型MOS管MP1的柵極與第二P型MOS管MP2的柵極連接；第一P型MOS管MP1的漏極、第三P型MOS管MP3的源極與第四P型MOS管MP4的源極連接；第二P型MOS管MP2的漏極、第五P型MOS管MP5的源極與第六P型MOS管MP6的源極連接；第三P型MOS管MP3的漏極、第五P型MOS管MP5的漏極與電阻R2的一端、電阻R8的一端連接；第四P型MOS管MP4的柵極、第五P型MOS管MP5的柵極、第一NPN型三極管Q1的發(fā)射極與電阻R2的另一端、電阻R1的一端連接；固定電壓輸入端口Va與第三P型MOS管MP3的柵極連接；固定電壓輸入端口Vb與第六P型MOS管MP6的柵極連接；

第七P型MOS管MP7的漏極與電R5的一端連接；第七P型MOS管MP7的柵極與運算放大器的輸出端連接；第三NPN型三極管Q3的發(fā)射極與電阻R3的一端、電阻R4的一端連接；電阻R3的另一端、第一NPN型三極管Q1的集電極與運算放大器的同向輸入端連接；電阻R4的另一端、第二NPN型三極管Q2的集電極與運算放大器的反向輸入端連接；第二NPN型三極管Q2的發(fā)射極與電阻R1的另一端連接；第一NPN型三極管Q1的基極、第二NPN型三極管Q2的基極與電阻R6的一端、電阻R7的一端連接；電阻R6的另一端、電阻R5的另一端，電容C1的一端與帶隙基準的輸出端口VREF連接；第三NPN型三極管Q3的基極與偏置電壓Vb連接；

第零P型MOS管MP0的源極、第一P型MOS管MP1的源極、第二P型MOS管MP2的源極、第七P型MOS管MP7的源極、第三NPN型三極管Q3的集電極與電源VDD連接；

第四P型MOS管MP4的漏極、第六P型MOS管MP6的漏極、電流源I的流出端、電阻R7的另一端、電阻R8的另一端、電容C1的另一端與地GND連接。

所述運算放大器為折疊式共源共柵放大器，包括4個P型MOS管、5個N型MOS管和1個電容，其電路連接方式為：

第一N型MOS管MN1的柵極與該運算放大器的同向輸入端連接；第二N型MOS管MN2的柵極與該運算放大器的反向輸入端連接；第一N型MOS管MN1的漏極與第一P型MOS管MP1的漏極、第三P型MOS管MP3的源極連接；第二N型MOS管MN2的漏極與第二P型MOS管MP2的漏極、第四P型MOS管MP4的源極連接；第一N型MOS管MN1的源極、第二N型MOS管MN2的源極與第三N型MOS管MN3的漏極連接；第三P型MOS管MP3的漏極與第四N型MOS管MN4的漏極、第四N型MOS管MN4的基極、第五N型MOS管MN5的基極連接；第四P型MOS管MP4的漏極、第五N型MOS管MN5的漏極、電容C0的一端與該運算放大器的輸出端口Vout連接；

第一P型MOS管MP1的柵極、第二P型MOS管MP2的柵極與偏置電壓Vpb1連接；第三P型MOS管MP3的柵極、第四P型MOS管MP4的柵極與偏置電壓Vpb2連接；第三N型MOS管MN3的柵極與偏置電壓Vnb1連接；

第一P型MOS管MP1的源極、第二P型MOS管MP2的源極與電源VDD連接；

第三N型MOS管MN3的源極、第四N型MOS管MN4的源極、第五N型MOS管MN5的源極、電容C0的另一端與地GND連接。