[實用新型]一種多模式轉換電路有效
| 申請號: | 201420719102.4 | 申請日: | 2014-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN204258631U | 公開(公告)日: | 2015-04-08 |
| 發明(設計)人: | 李伊珂 | 申請(專利權)人: | 成都芯源系統有限公司 |
| 主分類號: | H02M3/156 | 分類號: | H02M3/156 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 611731 四川省成都市成都*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 模式 轉換 電路 | ||
1.一種多模式轉換電路,包括:
電感,耦接于輸入端和開關端之間;
第一晶體管,耦接于所述開關端和接地端之間;
第二晶體管和第三晶體管,串聯耦接于所述開關端和所述輸出端之間,所述第二晶體管和所述第三晶體管的襯底寄生二極管的陽極均耦接至其公共連接端,或者所述第二晶體管和所述第三晶體管的襯底寄生二極管的陰極均耦接至其公共連接端,其中
若所述轉換器不使能,所述第二晶體管和所述第三晶體管關斷;
若所述轉換器工作于升壓模式,所述第二晶體管具有導通模式或者開關模式,所述第三晶體管具有開關模式;以及
若所述轉換器工作于降壓模式,所述第二晶體管的導通電阻可調節,所述第三晶體管具有開關模式。
2.根據權利要求1所述的轉換電路,其中,所述第二晶體管和所述第三晶體管是P溝道MOS晶體管,其中
所述第二晶體管具有第一端、第二端、控制端和襯底端,其第一端耦接至所述轉換電路的開關端,其襯底端耦接至其第一端;
所述第三晶體管具有第一端、第二端、控制端和襯底端,其第一端耦接至所述所述第二晶體管第二端,其第二端耦接至所述輸出端,其襯底端耦接至其第二端。
3.根據權利要求1所述的轉換電路,其中,第二晶體管和第三晶體管是P溝道MOS器件,其中
所述第二晶體管具有第一端、第二端、控制端和襯底端,其第二端耦接至所述轉換電路的輸出端,其襯底端耦接至其第一端;
所述第三晶體管具有第一端、第二端、控制端和襯底端,其第一端耦接至所述轉換電路的開關端,其第二端耦接至所述第二晶體管第一端,其襯底端耦接至其第二端。
4.根據權利要求1所述的轉換電路,其中,
所述第二晶體管由第一至第N單元晶體管并聯組成,N大于等于2;
所述第一晶體管關斷后的第一時間,若所述轉換電路開關端電壓低于設定電壓,通過關斷所述第一單元晶體管增大所述第二晶體管的導通電阻。
5.根據權利要求4所述的轉換電路,其中,
所述第一晶體管關斷后的第N時間,若所述轉換電路開關端電壓低于所述設定電壓,通過關斷所述第N單元晶體管增大所述第二晶體管的導通電阻。
6.根據權利要求1或者2或者3所述的轉換電路,還包括
阻抗控制電路,具有第一端、第二端和第三端,其第一端耦接至所述轉換電路的輸入端,其第二端耦接至所述轉換電路的開關端,其第三端耦接至所述第二晶體管的控制端;
所述第一晶體管關斷后的第一時間,若所述轉換電路開關端電壓低于設定電壓,所述阻抗控制電路增大所述第二晶體管的導通電阻,其中所述設定電壓高于所述轉換電路輸入端的電壓。
7.根據權利要求6所述的轉換電路,其中,所述阻抗控制電路包括,
第一比較器,具有第一端、第二端和輸出端,其第一端接收參考信號,其第二端耦接至所述轉換電路的開關端;以及
第一驅動電路,具有輸入端與輸出端,其輸入端耦接至所述第一比較器的輸出端,其輸出端耦接至所述第二晶體管的控制端。
8.根據權利要求7所述的轉換電路,其中,
所述第一晶體管關斷后的第一時間內,所述第二晶體管具有第一導通電阻;
在所述第一時間結束時,若所述轉換電路開關端電壓低于設定電壓,所述第一驅動電路輸出第二電壓,所述第二晶體管具有第二導通電阻,其中所述第二導通電阻大于所述第一導通電阻。
9.根據權利要求6所述的轉換電路,其中,所述第二晶體管的導通電阻線性可變。
10.根據權利要求6所述的轉換電路,所述阻抗控制電路包括第一放大器,具有第一端、第二端和輸出端,其第一端接收參考信號,其第二端耦接至所述轉換電路的開關端,其輸出端耦接至所述第二晶體管的控制端。
11.根據權利要求1所述的轉換電路,還包括
第四晶體管,為耗盡型PMOS晶體管,具有第一端、第二端和控制端,其第一端耦接至所述轉換電路的輸入端,其控制端耦接至所述轉換電路的開關端,其第二端耦接至所述述第二晶體管的控制端;以及
阻性電路,具有第一端和第二端,其第一端耦接至所述第二晶體管的控制端,其第二端耦接至所述接地端,配置為對所述第四晶體管的控制端放電。
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