[實用新型]TFT背電極電子紙顯示模組有效
| 申請號: | 201420695669.2 | 申請日: | 2014-11-19 |
| 公開(公告)號: | CN204289447U | 公開(公告)日: | 2015-04-22 |
| 發明(設計)人: | 廖承龍;謝杰 | 申請(專利權)人: | 江西合力泰科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | tft 電極 電子 顯示 模組 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種TFT背電極電子紙顯示模組。
背景技術
???目前,現有的電子紙模組的底板背電極是由硅材料制作而成,但以硅材料制作的半導體集成電路加工精度已經接近極限尺寸,而且,對于傳統的硅材料制作的CMOS晶體管尺寸較大,進一步減小尺寸會由于到達物理學極限而引起諸多問題,如量子漲落和散熱等問題,會影響芯片性能的穩定;提高集成度的成本越來越高,市場將難以承受,而且散熱效果不好,生產工藝復雜。
實用新型內容
本實用新型的目的在于克服上述現有技術的不足,提供一種集成電路尺寸小、散熱效果好和生產工藝簡單的TFT背電極電子紙顯示模組。
本實用新型是這樣實現的,一種TFT背電極電子紙顯示模組,包括從上至下依次層疊設置的一離心膜、一上電極基板、一ITO導電膜、一電子墨水層、一膠水層和一底板背電極,所述底板背電極為碳納米管材料制成的TFT晶體管。
本實用新型提供的TFT背電極電子紙顯示模組,其底板背電極采用碳納米管材料,與現有技術相比,有以下優點:?1、具有與硅材料明顯不同的電特征,載流子的傳輸是一維的,意味著載流子散射的相空間減小,產生彈道傳輸和使相應功耗降低;2、C原子的所有化學鍵完整,不需要像硅表面由于存在懸掛鍵而需化學鈍化,這意味著底板背電極不必一定使用二氧化硅作為絕緣體,而是可以使用其他高介質常數和晶體的絕緣體進行三維結構的制作;3、強共價鍵使碳納米管具有高的機械和熱穩定性和抗電遷移性,目前可以承受高達6A/cm2的電流密度;4、碳納米管的直徑不是由常規工藝制作,而是化學工藝控制;5、有源器件和互連可以分別采用半導體性和金屬性碳納米管來制作。另外,半導體性碳納米管具有接近自然界材料理論上的最高電子遷移率和機械強度,用碳納米管做成的晶體管有很多傳統晶體管所不能比擬的優點,消除了短溝效應,底板背電極的響應速度快,效率高。通過碳納米管的電流密度比一般金屬要高四個數量級,這些優越的性能可以促使碳納米管取代傳統半導體硅材料來制作場效應晶體管。本實用新型提供的TFT背電極電子紙顯示模組,其底板背電極采用碳納米管材料,可以減小集成電路的尺寸,散熱效果好,生產工藝簡單。
附圖說明
為了更清楚地說明本實用新型的技術方案,下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1是本實用新型提供的TFT背電極電子紙顯示模組示意圖。
具體實施方式
下面將結合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述。
如圖1所示,本實用新型實施例提供的一種TFT背電極電子紙顯示模組,包括從上至下依次層疊設置的一離心膜1、一上電極基板2、一ITO導電膜3、一電子墨水層4、一膠水層5和一底板背電極6,底板背電極6為碳納米管材料制成的TFT晶體管。
本實用新型的工作原理為:首先,在上電極基板2的上表面設置一層離心膜1,離心膜1主要用于保護上電極基板2,起到防塵的作用,還能避免上電極基板2表面被硬物劃傷,從而延長TFT背電極電子紙顯示模組的使用壽命;然后,在上電極基板2的下表面鍍上一層ITO導電膜3,形成ITO上電極,其作用是通電后與底板背電極6形成電場;接著,在ITO導電膜3下設置電子墨水層4,電子墨水層4自身是具有粘附性的懸浮物,可通過涂覆工藝,把電子墨水層4涂覆在ITO導電膜3上;再在電子墨水層4上涂覆一層具有粘連性的膠水層5,便于與底板背電極貼合;最后通過翻蓋貼合機將膠水層5與底板背電極6緊密貼合。
????TFT背電極電子紙顯示模組通電后,ITO上電極與底板背電極6之間形成電壓,通過底板背電極6電流大小來控制每個TFT晶體管與ITO上電極形成電壓的不同,從而在微觀上控制電子墨水層4內的正、負電微粒呈現不同方向和不同程度的轉動,TFT背電極電子紙顯示模組即可顯示不同圖形。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





