[實(shí)用新型]一種負(fù)荷開(kāi)關(guān)前置電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420694588.0
• 申請(qǐng)日: 2014-11-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN204188687U
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-03-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沈建芳;林宏進(jìn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 溫州悅動(dòng)智能電器有限公司
• 主分類號(hào): G01R15/00
• 分類號(hào): G01R15/00
• 代理公司: 溫州金甌專利事務(wù)所(普通合伙) 33237
• 代理人: 林巖龍

1.一種負(fù)荷開(kāi)關(guān)前置電路，其特征在于：其包括整流電路和控制DC/DC電源模塊電路通斷的開(kāi)關(guān)電路，整流電路一端與斷路器連接，一端通過(guò)開(kāi)關(guān)電路與DC/DC電源模塊連接，所述開(kāi)關(guān)電路包括用作通斷的第一控制元件和第二控制元件，所述第一、第二控制元件為三極管或MOS管。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種負(fù)荷開(kāi)關(guān)前置電路，其特征在于：所述第一控制元件為PNP型三極管V1，第二控制元件為N-MOS管Q1，所述開(kāi)關(guān)電路還包括電阻R5/R12/R10/R8，PNP型三極管V1的集電極C與DC/DC電源模塊輸入電源VHH連接，PNP型三極管V1的發(fā)射極E與整流電路連接，PNP型三極管V1的基極B通過(guò)電阻R10/R5/R12與N-MOS管Q1的第二管腳相連，?N-MOS管Q1的第一管腳通過(guò)電阻R8接地，N-MOS管Q1的第三管腳接地。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種負(fù)荷開(kāi)關(guān)前置電路，其特征在于：在整流電路與開(kāi)關(guān)電路之間串接熱敏電阻RT1。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種負(fù)荷開(kāi)關(guān)前置電路，其特征在于：在整流電路與開(kāi)關(guān)電路之間設(shè)有低功耗穩(wěn)壓電路。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種負(fù)荷開(kāi)關(guān)前置電路，其特征在于：所述低功耗穩(wěn)壓電路包括MCU控制模塊、電阻R1/R13/R23/R25/R26/R32，電容C1/C11,穩(wěn)壓管D6/D10，二極管D1，MCU控制模塊的VCC管腳通過(guò)二極管D1、穩(wěn)壓管D6、電阻R26/R25/R23/R13/R1與PNP型三極管V1的發(fā)射極E連接；電容C1并聯(lián)在MCU控制模塊的VCC管腳和地之間，電容C11和電阻R32并聯(lián)后，一端接二極管D1和穩(wěn)壓管D6的節(jié)點(diǎn)，另一端接地；穩(wěn)壓管D10一端接電阻R26和穩(wěn)壓管D6的節(jié)點(diǎn)，另一端接地。

6.根據(jù)權(quán)利要求1、2、4、5中任一項(xiàng)所述的一種負(fù)荷開(kāi)關(guān)前置電路，其特征在于：所述整流電路為整流橋。