[實用新型]一種在玻璃基板上沉積形成半導體薄膜的裝置

有效

• 申請號: 201420689689.9
• 申請日: 2014-11-17
• 公開（公告）號: CN204251691U
• 公開（公告）日: 2015-04-08
• 發明（設計）人: 彭壽;夏申江;屠友明;王蕓
• 申請（專利權）人: 中建材光電裝備（太倉）有限公司;中國建材國際工程集團有限公司;蚌埠玻璃工業設計研究院
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;C03C17/22
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 馬明渡;徐丹

1.一種在玻璃基板上沉積形成半導體薄膜的裝置，包括一真空沉積腔（1）以及設于真空沉積腔（1）內的氣相沉積器（2），所述氣相沉積器（2）包括一坩鍋（21）、蓋設于坩鍋（21）上敞口的多孔透氣膜（22）以及設于坩鍋（21）底部的進料分配器（23）；其特征在于：所述氣相沉積器（2）還包括一致密外殼（24），該致密外殼（24）套于所述坩鍋（21）外，坩鍋（21）和致密外殼（24）間留有空間；所述致密外殼（24）的底部設有出氣通道（241），所述玻璃基板（3）設于致密外殼（24）的下方與出氣通道（241）相對；所述坩鍋（21）內腔經多孔透氣膜（22）與坩鍋（21）和致密外殼（24）之間的空間相通，所述坩鍋（21）內受熱升華成氣相的半導體材料穿過多孔透氣膜（22）至坩鍋（21）和致密外殼（24）之間的空間，再穿過所述致密外殼（24）底部的出氣通道（241）并沉積在所述玻璃基板（3）上。

2.根據權利要求1所述在玻璃基板上沉積形成半導體薄膜的裝置，其特征在于：所述多孔透氣膜（22）由一個卡鉗（211）固定在坩鍋（21）上。

3.根據權利要求1所述在玻璃基板上沉積形成半導體薄膜的裝置，其特征在于：所述出氣通道（241）上設第二多孔透氣膜（4）。

4.根據權利要求1所述在玻璃基板上沉積形成半導體薄膜的裝置，其特征在于：所述出氣通道（241）的底端口至所述玻璃基板（3）之間的間距為10～30毫米。

5.根據權利要求1所述在玻璃基板上沉積形成半導體薄膜的裝置，其特征在于：本裝置還包括一滾輪式傳送裝置（5），所述玻璃基板（3）擺放于該滾輪式傳送裝置（5）上，由滾輪式傳送裝置（5）水平傳送。