[實(shí)用新型]一種提高直拉硅單晶生長速度的新型導(dǎo)流筒

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420688047.7
• 申請日: 2014-11-17
• 公開（公告）號: CN204251754U
• 公開（公告）日: 2015-04-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 婁中士;張頌越;孫毅;王彥君;由佰玲;崔敏;喬柳
• 申請（專利權(quán)）人: 天津市環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司
• 主分類號: C30B15/00
• 分類號: C30B15/00;C30B29/06
• 代理公司: 天津?yàn)I?？凭曋R產(chǎn)權(quán)代理有限公司 12211
• 代理人: 韓敏

1.一種提高直拉硅單晶生長速度的新型導(dǎo)流筒，其特征在于：包括內(nèi)筒(1)、內(nèi)筒筒罩(2)、外筒(3)、外筒筒罩(4)和保溫層(5)；

所述內(nèi)筒(1)包括內(nèi)筒上部(11)和內(nèi)筒下部(12)且內(nèi)筒上部(11)和內(nèi)筒下部(12)連接構(gòu)成內(nèi)筒(1)；

所述內(nèi)筒筒罩(2)包括內(nèi)筒上部筒罩(21)和內(nèi)筒下部筒罩(22)；

所述內(nèi)筒(1)為套筒狀結(jié)構(gòu)且所述內(nèi)筒(1)下端直徑小于上端直徑；所述外筒(3)為套筒狀結(jié)構(gòu)且所述外筒(3)下端直徑小于上端直徑；所述內(nèi)筒(1)下端直徑小于外筒(3)下端直徑，所述內(nèi)筒(1)上端直徑小于外筒(3)上端直徑；

所述內(nèi)筒(1)套裝在外筒(3)內(nèi)部，且內(nèi)筒下部(12)與外筒(3)連接；所述保溫層(5)置于由內(nèi)筒(1)和外筒(3)連接后構(gòu)成的腔體內(nèi)部；所述內(nèi)筒上部(11)被內(nèi)筒上部筒罩(21)覆蓋且緊密貼合，所述內(nèi)筒下部(12)被內(nèi)筒下部筒罩(22)覆蓋且緊密貼合，所述外筒(3)被外筒筒罩(4)覆蓋且緊密貼合。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高直拉硅單晶生長速度的新型導(dǎo)流筒，其特征在于：所述內(nèi)筒下部(12)高度與內(nèi)筒上部(11)高度的比值為0.3-1.5。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高直拉硅單晶生長速度的新型導(dǎo)流筒，其特征在于：所述內(nèi)筒上部筒罩(21)為高輻射系數(shù)的鏡面材料構(gòu)成。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種提高直拉硅單晶生長速度的新型導(dǎo)流筒，其特征在于：所述內(nèi)筒下部筒罩(22)為低輻射系數(shù)的非鏡面材料構(gòu)成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的一種提高直拉硅單晶生長速度的新型導(dǎo)流筒，其特征在于：所述外筒筒罩(4)為低輻射系數(shù)的鏡面材料構(gòu)成。