[實用新型]一種氣相沉淀設備用噴淋頭孔徑監測裝置有效
| 申請號: | 201420684848.6 | 申請日: | 2014-11-14 |
| 公開(公告)號: | CN204281855U | 公開(公告)日: | 2015-04-22 |
| 發明(設計)人: | 陳偉;陳立人 | 申請(專利權)人: | 聚燦光電科技股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/52;C30B25/14;C30B25/16 |
| 代理公司: | 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 楊林潔 |
| 地址: | 215123 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 沉淀 備用 噴淋 孔徑 監測 裝置 | ||
技術領域
本實用新型屬于氣相外延生長設備技術領域,具體涉及一種氣相沉淀設備用噴淋頭孔徑監測裝置。
背景技術
MOCVD(Metal-Organic?Chemical?Vapor?Deposition金屬有機化合物化學氣相沉淀)是在氣相外延生長的基礎上發展起來的一種新型氣相外延生長技術。
MOCVD是一個將特定的原材料通過一系列嚴格控制,傳輸到加熱生長區,在此生長區,原材料熱分解后的元素化合形成具有一定光、電性能的晶體材料。一般MOCVD設備包括加熱系統、冷卻系統、氣體運輸系統、尾氣處理系統以及控制系統。
采用耦合噴淋頭(Closed?Coupled?Showerhead,CCS)的CVD系統的上蓋采用小孔輸運氣態原材料到反應室中進行反應,由于Showerhead(噴淋頭)的孔徑非常小,且距離反應室內反應平臺的距離非常近,氣態原材料物質難免會發生大量預反應,這個反應物會迅速覆蓋在showerhead的小孔表面,盡管每生長一爐,都有人工刷洗清潔showerhead表面,但孔隙內仍會殘留部分物質,使用時間一長,小孔孔徑還是會越來越小,這就會導致工藝參數漂移很多,無法穩定MOCVD的工業生產。目前的設備沒有專門針對showerhead孔徑被堵的程度的方法和設備,無法實時監控小孔被堵對工藝帶來的影響。
因此,鑒于以上問題,有必要提出一種新型的監測裝置,實現對噴淋頭孔徑的實時監測,避免出現噴淋頭孔隙堵塞嚴重的情況,保證設備的正常使用,確保工業生產的穩定性與高效性。
實用新型內容
有鑒于此,本實用新型提供了一種氣相沉淀設備用噴淋頭孔徑監測裝置,通過設置光線發射與接收裝置檢測經過小孔后反射回的光線的強弱判斷孔徑的變化,實現對噴淋頭孔徑的實時監測,及時的反饋處理,避免出現噴淋頭孔隙堵塞嚴重的情況,保證設備的正常使用,確保工業生產的穩定性與高效性。
根據本實用新型的目的提出的一種氣相沉淀設備用噴淋頭孔徑監測裝置,所述氣相沉淀設備包括加熱系統、反應室,設置于所述反應室內的反應平臺,向所述反應室內輸送氣態原材料的噴淋頭,所述噴淋頭包括上蓋與位于所述上蓋下方均布小孔的孔板,所述監測裝置包括設置于所述上蓋上的光線發射與接收裝置,所述上蓋上開設有光線入射與反射的窗口,所述光線發射與接收裝置下方對應的反應平臺上設置有反光樣品,入射光線依次經過窗口與小孔后經反光樣品反射至光線發射與接收裝置處;
所述監測裝置還包括與所述光線發射與接收裝置電連接的用以反應反射光線強弱的反饋裝置。
優選的,所述光線發射與接收裝置為激光探頭。
優選的,所述光線發射與接收裝置為設置于所述上蓋上的至少一組,所述上蓋上與每組光線發射與接收裝置對應處均開設窗口。
優選的,所述光線發射與接收裝置為三組,分別設置于所述噴淋頭的內、中、外三圈上。
優選的,所述反饋裝置為報警器。
與現有技術相比,本實用新型公開的氣相沉淀設備用噴淋頭孔徑監測裝置的優點是:
通過設置光線發射與接收裝置檢測經過小孔后反射回光線的強弱判斷孔徑的變化,實現對噴淋頭孔徑的實時監測,及時的反饋處理,避免出現噴淋頭孔隙堵塞嚴重的情況,保證設備的正常使用,確保工業生產的穩定性與高效性。
通過將光線發射與接收裝置分別設置于噴淋頭的內、中、外三圈上,可實現對噴淋頭各處進行實時監控,保證小孔的暢通。
附圖說明
為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本實用新型公開的氣相沉淀設備的簡圖。
圖2為本實用新型公開的監測裝置原理圖。
圖3為孔堵情況與激光強度對應關系模擬圖。
圖中的數字或字母所代表的相應部件的名稱:
1、加熱系統?2、旋轉托盤?3、反應平臺?4、反應室?5、噴淋頭?6、激光探頭?7、上蓋?8、孔板?9、小孔?10、窗口?11、反光樣品
具體實施方式
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





