[實用新型]基于VCSEL的高功率半導體激光器及其VCSEL激光器模組有效
| 申請號： | 201420681460.0 | 申請日： | 2014-11-10 |
| 公開（公告）號： | CN204290035U | 公開（公告）日： | 2015-04-22 |
| 發明（設計）人： | 李陽;李德龍 | 申請（專利權）人： | 李德龍 |
| 主分類號： | H01S5/183 | 分類號： | H01S5/183;H01S5/42 |
| 代理公司： | 北京汲智翼成知識產權代理事務所(普通合伙) 11381 | 代理人： | 陳曦;王鵬麗 |
| 地址： | 100094 北京市海*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 vcsel 功率 半導體激光器 及其 激光器 模組 | ||
1.一種VCSEL激光器模組，其特征在于包括多個VCSEL芯片組成的VCSEL芯片陣列和設置在所述VCSEL芯片陣列的出光面前方的內壁反射型光學傳輸器件；
所述VCSEL芯片陣列的出光面對經過目標物和所述內壁反射型光學傳輸器件反射回來的反射光線進行二次反射。
2.如權利要求1所述的VCSEL激光器模組，其特征在于：
所述內壁反射型光學傳輸器件的出射口面積小于入射口面積。
3.如權利要求1或2所述的VCSEL激光器模組，其特征在于：
所述內壁反射型光學傳輸器件的入射口全部覆蓋且僅覆蓋所述VCSEL芯片陣列的發光區域。
4.如權利要求1或2所述的VCSEL激光器模組，其特征在于：
所述VCSEL芯片陣列中，多個VCSEL芯片在一個平面內緊密排列，其出光面組成一個平面出光面。
5.如權利要求1或2所述的VCSEL激光器模組，其特征在于：
所述VCSEL芯片陣列中，多個VCSEL芯片相互成一定角度排列，多個VCSEL芯片的出光面構成一個以目標物為圓心的近似弧形的多邊形出光面。
6.如權利要求1或2所述的VCSEL激光器模組，其特征在于：
所述內壁反射型光學傳輸器件是內壁拋光的反射鏡筒。
7.如權利要求1或2所述的VCSEL激光器模組，其特征在于：
所述內壁反射型光學傳輸器件是基于內壁全反射的導光錐。
8.如權利要求7所述的VCSEL激光器模組，其特征在于：
所述導光錐的入射口和出射口蒸鍍光學增透膜。
9.一種高功率半導體激光器，其特征在于包括權利要求1～8中任意一項所述的VCSEL激光器模組。
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