[實(shí)用新型]一種帶內(nèi)置MOS的高效同步升壓控制集成電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420669815.4
• 申請(qǐng)日: 2014-11-11
• 公開（公告）號(hào): CN204190616U
• 公開（公告）日: 2015-03-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖紅偉;譚亞偉;尚榮軍;金海林
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢光華芯科技有限公司
• 主分類號(hào): H02M3/155
• 分類號(hào): H02M3/155
• 代理公司: 武漢開元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 42104
• 代理人: 唐正玉

1.一種帶內(nèi)置MOS的高效同步升壓控制集成電路，包括上電復(fù)位電路(POR)、振蕩電路(OSC)、邏輯運(yùn)算控制電路、升壓輸入檢測(cè)電路、PWM輸出驅(qū)動(dòng)電路、內(nèi)置MOS電路、升壓輸出檢測(cè)電路、輸出過流檢測(cè)電路，其特征在于：上電復(fù)位電路與振蕩電路相連，振蕩電路與邏輯運(yùn)算控制電路相連，邏輯運(yùn)算控制電路分別與升壓輸入檢測(cè)電路、PWM輸出驅(qū)動(dòng)電路、升壓輸出檢測(cè)電路、輸出過流檢測(cè)電路相連，PWM輸出驅(qū)動(dòng)電路與內(nèi)置MOS電路相連，內(nèi)置MOS電路與升壓輸出檢測(cè)電路相連。

2.如權(quán)利要求1所述的帶內(nèi)置MOS的高效同步升壓控制集成電路，其特征在于：內(nèi)置MOS電路內(nèi)置一個(gè)NMOS和一個(gè)PMOS，且采用同步升壓控制方式。